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1. (WO2019049472) DISPOSITIF DE PULVÉRISATION CATHODIQUE
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N° de publication : WO/2019/049472 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/024020
Date de publication : 14.03.2019 Date de dépôt international : 25.06.2018
CIB :
C23C 14/34 (2006.01) ,C23C 14/35 (2006.01) ,H01L 21/285 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14
Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
22
caractérisé par le procédé de revêtement
34
Pulvérisation cathodique
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14
Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
22
caractérisé par le procédé de revêtement
34
Pulvérisation cathodique
35
par application d'un champ magnétique, p.ex. pulvérisation au moyen d'un magnétron
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
28
Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/268177
283
Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes
285
à partir d'un gaz ou d'une vapeur, p.ex. condensation
Déposants :
株式会社アルバック ULVAC, INC. [JP/JP]; 神奈川県茅ヶ崎市萩園2500番地 2500, Hagisono, Chigasaki-shi, Kanagawa 2538543, JP
Inventeurs :
中野 賢明 NAKANO Katsuaki; JP
柳沼 寛寿 YAGINUMA Kanji; JP
Mandataire :
特許業務法人青莪 SEIGA PATENT AND TRADEMARK CORPORATION; 東京都品川区西五反田8-1-14 最勝ビル9階 9th Fl., Saisho Bldg., 1-14, Nishi-Gotanda 8-chome, Shinagawa-ku, Tokyo 1410031, JP
Données relatives à la priorité :
2017-17248707.09.2017JP
Titre (EN) SPUTTERING DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE PULVÉRISATION CATHODIQUE
(JA) スパッタリング装置
Abrégé :
(EN) The present invention provides a sputtering device capable of forming a predetermined thin film inside holes and trenches formed on the surface of a substrate with preferable symmetry and good coverage. This sputtering device is provided with a vacuum chamber in which a target is disposed, and forms a thin film on the surface of a substrate by sputtering while rotating a circular substrate W at a predetermined number of rotations in the vacuum chamber. The sputtering device is also provided with: a stage that rotatably holds a substrate in a state in which the center of the substrate is offset at a predetermined interval from the center of a target to one side in the radial direction; and a shielding plate that is provided between the target and the substrate on the stage to cover the substrate, wherein the shielding plate is formed with an opening that allows the passage of sputter particles scattered from the target to the substrate side, and the opening has a contour in which the opening area is gradually increased from a starting point in the central region of the substrate toward the radially outward direction. The increased amount of the opening area is set according to the distance between the target and the substrate.
(FR) La présente invention concerne un dispositif de pulvérisation cathodique apte à former un film fin prédéterminé à l’intérieur de trous et de tranchées formés sur la surface d’un substrat avec une symétrie préférable et une bonne couverture. Ce dispositif de pulvérisation cathodique est muni d’une chambre à vide dans laquelle une cible est disposée, et qui forme un film fin sur la surface d’un substrat par pulvérisation cathodique tout en faisant tourner un substrat circulaire W selon un nombre prédéterminé de rotations dans la chambre à vide. Le dispositif de pulvérisation cathodique est également muni : d’un étage qui maintient de manière à pouvoir tourner un substrat sous un état dans lequel le centre du substrat est décalé à un intervalle prédéterminé depuis le centre d’une cible vers un côté dans le sens radial ; et une plaque de protection qui est disposée entre la cible et le substrat sur l’étage pour recouvrir le substrat, la plaque de protection étant formée avec une ouverture qui permet le passage des particules de pulvérisation cathodique diffusées depuis la cible vers le côté substrat, et l’ouverture présentant un contour dans lequel la zone d’ouverture est progressivement accrue depuis un point de départ dans la région centrale du substrat vers le sens radialement vers l’extérieur. La quantité accrue de la surface d’ouverture est définie en fonction de la distance entre la cible et le substrat.
(JA) 基板表面に形成されたホールやトレンチの内部に良好な対称性を持ちながら且つカバレッジ良く所定の薄膜が成膜できるスパッタリング装置を提供する。ターゲットが配置される真空チャンバを備え、真空チャンバ内で、円形の基板Wを所定の回転数で回転させながらスパッタリングして基板表面に薄膜を成膜するスパッタリング装置であって、基板の中心がターゲットの中心から径方向一方に所定間隔でオフセットされた状態でこの基板を回転自在に保持するステージと、ターゲットとステージ上の基板との間に設けられて基板を覆う遮蔽板とを備え、遮蔽板にはターゲットから飛散するスパッタ粒子の基板側への通過を許容する開口部が形成され、開口部は、基板の中心領域を起点としてこの起点から径方向外方へと向かうに従いその開口面積が次第に増加するような輪郭を持ち、開口面積の増加量がターゲットと基板との間の距離に応じて設定される。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)