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1. (WO2019049385) SOUS-AMPLIFICATEUR, DISPOSITIF DE COMMUTATION ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
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N° de publication : WO/2019/049385 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/032724
Date de publication : 14.03.2019 Date de dépôt international : 11.09.2017
CIB :
G11C 7/06 (2006.01)
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
7
Dispositions pour écrire une information ou pour lire une information dans une mémoire numérique
06
Amplificateurs de lecture; Circuits associés
Déposants :
ウルトラメモリ株式会社 ULTRAMEMORY INC. [JP/JP]; 東京都八王子市旭町11-8 アクセスビル3階 Access Bldg. 3F, 11-8, Asahi-cho, Hachioji-shi, Tokyo 1920083, JP
Inventeurs :
山田 康利 YAMADA Yasutoshi; JP
Mandataire :
正林 真之 SHOBAYASHI Masayuki; JP
林 一好 HAYASHI Kazuyoshi; JP
崎間 伸洋 SAKIMA Nobuhiro; JP
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SUB-AMPLIFIER, SWITCHING DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) SOUS-AMPLIFICATEUR, DISPOSITIF DE COMMUTATION ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) サブアンプ、スイッチング装置、及び、半導体装置
Abrégé :
(EN) Provided are a sub-amplifier, a switching device and a semiconductor device capable of simultaneously reading or writing many data items, while suppressing an increase in chip surface area, by using a single end signal line. A sub-amplifier SAP comprises: a first pre-charge circuit 110 that releases pre-charges of a pair of local wires LIOT/LIOB; a local inversion drive circuit 120 that, on the basis of a write signal WT, inverts and transfers write data to a sense amplifier SA from a main wire MIOB via one of the local wires LIOT/LIOB; a local non-inversion drive circuit 130 that, on the basis of the write signal WT, transfers the write data to the sense amplifier SA from the main wire MIOB via the other one of the local wires LIOT/LIOB; and a main inversion drive circuit 140 that, on the basis of a read signal RT, inverts and transfers read data to the main wire MIOB from one of the local wires LIOT/LIOB.
(FR) L'invention concerne un sous-amplificateur, un dispositif de commutation et un dispositif à semi-conducteur capables de lire ou d'écrire simultanément de nombreux éléments de données, tout en supprimant une augmentation de la surface de la puce, à l'aide une seule ligne de signal d'extrémité. Un sous-amplificateur SAP comprend : un premier circuit de précharge (110) qui libère des pré-charges d'une paire de fils locaux LIOT/LIOB ; un circuit de commande d'inversion local (120) qui, sur la base d'un signal d'écriture WT, inverse et transfère des données d'écriture à un amplificateur de détection SA à partir d'un fil principal MIOB par l'intermédiaire d'un des fils locaux LIOT/LIOB ; un circuit de commande de non d'inversion local (130) qui, sur la base du signal d'écriture WT, transfère les données d'écriture à l'amplificateur de détection SA à partir du fil principal MIOB par l'intermédiaire de l'autre fil local parmi les fils locaux LIOT/LIOB ; et un circuit de commande d'inversion principal (140) qui, sur la base d'un signal de lecture RT, inverse et transfère des données de lecture au fil principal MIOB à partir de l'un des fils locaux LIOT/LIOB.
(JA) シングルエンド信号線を用いることで、チップ面積の増加を抑制しつつ、多くのデータを同時に読み出し又は書き込みが可能なサブアンプ、スイッチング装置、及び半導体装置を提供すること。 サブアンプSAPは、一対のローカル配線LIOT,LIOBのプリチャージを解除する第1プリチャージ回路110と、書き込み信号WTに基づいてローカル配線LIOT,LIOBの一方を介してメイン配線MIOBからセンスアンプSAに書き込みデータを反転して転送するローカル反転駆動回路120と、書き込み信号WTに基づいてローカル配線LIOT,LIOBの他方を介してメイン配線MIOBからセンスアンプSAに書き込みデータを転送するローカル非反転駆動回路130と、読み出し信号RTに基づいて、ローカル配線LIOT,LIOBの一方からメイン配線MIOBに読み出しデータを反転して転送するメイン反転駆動回路140と、を備える。
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Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)