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1. (WO2019049268) DISPOSITIF OPTIQUE À SEMI-CONDUCTEUR
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N° de publication : WO/2019/049268 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/032295
Date de publication : 14.03.2019 Date de dépôt international : 07.09.2017
CIB :
H01S 5/026 (2006.01) ,H01S 5/12 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
S
DISPOSITIFS UTILISANT L'ÉMISSION STIMULÉE
5
Lasers à semi-conducteurs
02
Détails ou composants structurels non essentiels au fonctionnement laser
026
Composants intégrés monolithiques, p.ex. guides d'ondes, photodétecteurs de surveillance ou dispositifs d'attaque
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
S
DISPOSITIFS UTILISANT L'ÉMISSION STIMULÉE
5
Lasers à semi-conducteurs
10
Structure ou forme du résonateur optique
12
le résonateur ayant une structure périodique, p.ex. dans des lasers à rétroaction répartie (lasers DFB)
Déposants :
三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP
Inventeurs :
淵田 歩 FUCHIDA, Ayumi; JP
境野 剛 SAKAINO, Go; JP
上辻 哲也 UETSUJI, Tetsuya; JP
中村 直幹 NAKAMURA, Naoki; JP
Mandataire :
高田 守 TAKADA, Mamoru; JP
高橋 英樹 TAKAHASHI, Hideki; JP
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SEMICONDUCTOR OPTICAL DEVICE
(FR) DISPOSITIF OPTIQUE À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体光デバイス
Abrégé :
(EN) This semiconductor optical device is provided with: a semiconductor substrate that has a length and width; a laser section that is provided on the semiconductor substrate, and includes an active layer; and an optical waveguide section that is provided on the semiconductor substrate as adjacent to the laser section, and is joined to the laser section. The optical waveguide section includes a core layer that is connected to an end portion of the active layer, and a pair of cladding layers that sandwich the core layer therebetween. The optical waveguide section outputs, from an output end surface thereof, light input from the joining interface between the optical waveguide section and the laser section. The semiconductor optical device is also provided with a reflection suppressing layer that is provided to the upper surface of the optical waveguide section. Among the upper surface of the optical waveguide section, the reflection suppressing layer overlaps the center portion of the optical waveguide section in the length direction, and is provided shorter than the total length of the optical waveguide section. The reflection suppressing layer suppresses, at the center portion, the reflection of light traveling in the cladding layers toward the center portion.
(FR) La présente invention concerne un dispositif optique à semi-conducteur comprenant : un substrat semi-conducteur présentant une longueur et une largeur ; une section laser placée sur le substrat semi-conducteur et qui comprend une couche active ; et une section guide d'ondes optique placée sur le substrat semi-conducteur adjacente et jointe à la section laser. La section guide d'ondes optique comprend une couche centrale reliée à une partie d'extrémité de la couche active, et une paire de couches de gainage qui prennent en sandwich la couche centrale. La section guide d'ondes optique émet, par une surface d'extrémité de sortie de cette dernière, une lumière entrée par l'interface de jonction entre la section guide d'ondes optique et la section laser. Le dispositif optique à semi-conducteur est également pourvu d'une couche de suppression de réflexion disposée sur la surface supérieure de la section guide d'ondes optique. Dans la surface supérieure de la section guide d'ondes optique, la couche de suppression de réflexion chevauche la partie centrale de la section guide d'ondes optique dans le sens de la longueur et est prévue plus courte que la longueur totale de la section guide d'ondes optique. La couche de suppression de réflexion supprime, au niveau de la partie centrale, la réflexion de la lumière se propageant dans les couches de gainage vers la partie centrale.
(JA) 半導体光デバイスは、幅および長さを持つ半導体基板と、半導体基板の上に設けられ、活性層を含むレーザ部と、半導体基板の上におけるレーザ部の隣に設けられてレーザ部と接合した光導波路部と、を備える。光導波路部は、活性層の端部と接続されたコア層とコア層を内側に挟む一対のクラッド層とを含み、レーザ部との接合界面から入射した光を出射端面から出射する。半導体光デバイスは、光導波路部の上面に設けられた反射抑制層を備える。反射抑制層は、光導波路部の上面のうち長さ方向における光導波路部の中央部に重ねられ、光導波路部の全長よりも短く設けられている。反射抑制層は、中央部に向かってクラッド層の中を進む光が中央部で反射することを抑制する。
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Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)