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1. (WO2019049244) ÉLÉMENT À EFFET DE MAGNÉTORÉSISTANCE À EFFET TUNNEL ET MÉMOIRE MAGNÉTIQUE
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N° de publication : WO/2019/049244 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/032148
Date de publication : 14.03.2019 Date de dépôt international : 06.09.2017
CIB :
H01L 29/82 (2006.01) ,H01L 21/8239 (2006.01) ,H01L 27/105 (2006.01) ,H01L 43/08 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
82
commandés par la variation du champ magnétique appliqué au dispositif
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78
avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82
pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
822
le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
8232
Technologie à effet de champ
8234
Technologie MIS
8239
Structures de mémoires
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04
le substrat étant un corps semi-conducteur
10
comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive
105
comprenant des composants à effet de champ
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43
Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
08
Résistances commandées par un champ magnétique
Déposants :
TDK株式会社 TDK CORPORATION [JP/JP]; 東京都中央区日本橋二丁目5番1号 2-5-1, Nihonbashi, Chuo-ku, Tokyo 1036128, JP
Inventeurs :
佐々木 智生 SASAKI Tomoyuki; JP
Mandataire :
長谷川 芳樹 HASEGAWA Yoshiki; JP
黒木 義樹 KUROKI Yoshiki; JP
三上 敬史 MIKAMI Takafumi; JP
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) TUNNEL MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY
(FR) ÉLÉMENT À EFFET DE MAGNÉTORÉSISTANCE À EFFET TUNNEL ET MÉMOIRE MAGNÉTIQUE
(JA) トンネル磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ
Abrégé :
(EN) This TMR element is provided with: a reference layer; a magnetization free layer; a tunnel barrier layer between the reference layer and the magnetization free layer; and a vertical magnetization inducing layer and a leak layer which are stacked on the magnetization free layer on the opposite side from the tunnel barrier layer side. The magnetization direction of the reference layer is fixed in a stacking direction. The vertical magnetization inducing layer provides the magnetization free layer with magnetic anisotropy in a direction aligned with the stacking direction. The leak layer is disposed over an end region in an in-plane direction of the magnetization free layer. The vertical magnetization inducing layer is disposed over at least a central region in the in-plane direction of the magnetization free layer. The leak layer has a smaller resistance value in the stacking direction per in-plane unit area than the vertical magnetization inducing layer.
(FR) La présente invention concerne un élément TMR qui comporte : une couche de référence ; une couche dépourvue de magnétisation ; une couche de barrière à effet tunnel entre la couche de référence et la couche dépourvue de magnétisation ; et une couche d’induction de magnétisation verticale et une couche de fuite qui sont empilées sur la couche dépourvue de magnétisation du côté opposé au côté de la couche de barrière à effet tunnel. La direction de magnétisation de la couche de référence est fixée dans une direction d’empilement. La couche d’induction de magnétisation verticale confère à la couche dépourvue de magnétisation une anisotropie magnétique dans une direction alignée à la direction d’empilement. La couche de fuite est disposée au-dessus d’une zone d’extrémité dans une direction dans le plan de la couche dépourvue de magnétisation. La couche d’induction de magnétisation verticale est disposée au-dessus d’au moins une zone centrale dans la direction dans le plan de la couche dépourvue de magnétisation. La couche de fuite a une valeur de résistance inférieure dans la direction d’empilement par unité d’aire dans le plan à celle de la couche d’induction de magnétisation verticale.
(JA) TMR素子は、参照層と、磁化自由層と、これらの間のトンネルバリア層と、磁化自由層のトンネルバリア層側とは反対側に積層された垂直磁化誘起層及びリーク層とを備える。参照層の磁化方向は、積層方向に沿って固定されており、垂直磁化誘起層は、磁化自由層に積層方向に沿った方向の磁気異方性を付与し、リーク層は、磁化自由層の面内方向の端部領域上に設けられており、垂直磁化誘起層は、磁化自由層の面内方向の少なくとも中央領域上に設けられており、リーク層は、垂直磁化誘起層よりも、面内の単位面積当たりの積層方向に沿った抵抗値が小さい。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)