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1. (WO2019049192) DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT ET APPAREIL DE FABRICATION DE DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT
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N° de publication : WO/2019/049192 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/031896
Date de publication : 14.03.2019 Date de dépôt international : 05.09.2017
CIB :
H01L 33/06 (2010.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02
caractérisés par les corps semi-conducteurs
04
ayant une structure à effet quantique ou un superréseau, p.ex. jonction tunnel
06
au sein de la région électroluminescente, p.ex. structure de confinement quantique ou barrière tunnel
Déposants :
シャープ株式会社 SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 大阪府堺市堺区匠町1番地 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522, JP
Inventeurs :
塚本 優人 TSUKAMOTO, Yuto; --
川戸 伸一 KAWATO, Shinichi; --
梅田 時由 UMEDA, Tokiyoshi; --
二星 学 NIBOSHI, Manabu; --
仲西 洋平 NAKANISHI, Youhei; --
内海 久幸 UTSUMI, Hisayuki; --
兼弘 昌行 KANEHIRO, Masayuki; --
岡本 翔太 OKAMOTO, Shota; --
Mandataire :
特許業務法人HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK; 大阪府大阪市北区天神橋2丁目北2番6号 大和南森町ビル Daiwa Minamimorimachi Building, 2-6, Tenjinbashi 2-chome Kita, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300041, JP
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) LIGHT EMITTING DEVICE, MANUFACTURING METHOD OF LIGHT EMITTING DEVICE, AND MANUFACTURING APPARATUS OF LIGHT EMITTING DEVICE
(FR) DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT ET APPAREIL DE FABRICATION DE DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT
(JA) 発光デバイス、発光デバイスの製造方法、発光デバイスの製造装置
Abrégé :
(EN) In order to provide a light-emitting device in which long-lived fluorescence emission is obtained more efficiently, this light-emitting device (2) comprises an exciton generation layer (8) in which quantum dots (20) are dispersed, a light-emitting layer (10) which is adjacent to the exciton generation layer (8) in the vertical direction and in which fluorescent or phosphorescent luminous bodies (22) are dispersed, a first electrode (4) in a layer below the exciton generation layer (8) and the light emitting layer (10), and a second electrode (16) in a layer above the exciton generation layer (8) and the light-emitting layer (10), wherein there is at least partial overlap between the light emission spectrum of the quantum dots (20) and the absorption spectrum of the luminous bodies (22).
(FR) Afin de fournir un dispositif électroluminescent dans lequel est obtenue plus efficacement une émission de fluorescence à longue durée, ce dispositif électroluminescent (2) comprend une couche de génération d'excitons (8) dans laquelle sont dispersés des points quantiques (20), une couche électroluminescente (10) qui est adjacente à la couche de génération d'excitons (8) dans la direction verticale et dans laquelle sont dispersés des corps lumineux fluorescents ou phosphorescents (22), une première électrode (4) dans une couche au-dessous de la couche de génération d'excitons (8) et de la couche électroluminescente (10), et une seconde électrode (16) dans une couche au-dessus de la couche de génération d'excitons (8) et de la couche électroluminescente (10), au moins un chevauchement partiel se produisant entre le spectre d'émission de lumière des points quantiques (20) et le spectre d'absorption des corps lumineux (22).
(JA) より高効率、長寿命の蛍光発光が得られる発光デバイスを提供することを目的として、量子ドット(20)が分散する励起子生成層(8)と、蛍光体または燐光体である発光体(22)が分散し、前記励起子生成層(8)と上下方向に隣接する発光層(10)と、前記励起子生成層(8)および前記発光層(10)よりも下層の第1電極(4)と、前記励起子生成層(8)および前記発光層(10)よりも上層の第2電極(16)とを備え、前記量子ドット(20)の発光スペクトルと、前記発光体(22)の吸収スペクトルとが少なくとも一部において重なる発光デバイス(2)を提供する。
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Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)