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1. (WO2019049034) CAPTEUR MICROÉLECTRONIQUE POUR LA SURVEILLANCE NON INVASIVE DE TAUX DE GLUCOSE DANS LE SANG
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N° de publication : WO/2019/049034 N° de la demande internationale : PCT/IB2018/056762
Date de publication : 14.03.2019 Date de dépôt international : 05.09.2018
CIB :
H03F 3/193 (2006.01) ,H01L 29/423 (2006.01) ,A61B 5/05 (2006.01) ,A61B 5/145 (2006.01) ,H01L 31/112 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
F
AMPLIFICATEURS
3
Amplificateurs comportant comme éléments d'amplification uniquement des tubes à décharge ou uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
189
Amplificateurs à haute fréquence, p.ex. amplificateurs radiofréquence
19
comportant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
193
comportant des dispositifs à effet de champ
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
40
Electrodes
41
caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative
423
ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
A NÉCESSITÉS COURANTES DE LA VIE
61
SCIENCES MÉDICALE OU VÉTÉRINAIRE; HYGIÈNE
B
DIAGNOSTIC; CHIRURGIE; IDENTIFICATION
5
Mesure servant à établir un diagnostic; Identification des individus
05
Mesure pour établir un diagnostic au moyen de courants électriques ou de champs magnétiques
A NÉCESSITÉS COURANTES DE LA VIE
61
SCIENCES MÉDICALE OU VÉTÉRINAIRE; HYGIÈNE
B
DIAGNOSTIC; CHIRURGIE; IDENTIFICATION
5
Mesure servant à établir un diagnostic; Identification des individus
145
Mesure des caractéristiques du sang in vivo, p.ex. de la concentration des gaz dans le sang, de la valeur du pH du sang
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
08
dans lesquels le rayonnement commande le flux de courant à travers le dispositif, p.ex. photo-résistances
10
caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. photo-transistors
101
Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet
112
caractérisés par un fonctionnement par effet de champ, p.ex. phototransistor à effet de champ à jonction
Déposants :
EPITRONIC HOLDINGS PTE. LTD. [SG/SG]; 100 Tras St., #16-01 100 AM Singapore 079027, SG
Inventeurs :
RAM, Ayal; SG
LICHTENSTEIN, Amir; SG
Données relatives à la priorité :
62/554,10305.09.2017US
Titre (EN) MICROELECTRONIC SENSOR FOR NON-INVASIVE MONITORING OF BLOOD GLUCOSE LEVELS
(FR) CAPTEUR MICROÉLECTRONIQUE POUR LA SURVEILLANCE NON INVASIVE DE TAUX DE GLUCOSE DANS LE SANG
Abrégé :
(EN) A microelectronic sensor for non-invasive monitoring of glucose levels in blood is based on the combination of an open-gate pseudo-conductive high-electron mobility transistor and a Vivaldi antenna installed in the open gate area of the transistor. The sensor is capable of sensing sub-THz radiation produced by a body of a user, and comprises a heterojunction structure made of the layers of GaN/AlGaN single- or poly-crystalline semiconductor materials stacked alternately and a conducting channel comprising a two-dimensional electron gas (2DEG) or a two-dimensional hole gas (2DHG) formed at the interface between the GaN/AlGaN layers. The highest sensitivity of the sensor is achieved when the thickness of the top recessed layer (GaN or AlGaN) in the open gate area between the source and drain contacts is 5-9 nm and the surface roughness of this top layer is about 0.2 nm or less.
(FR) Un capteur microélectronique pour la surveillance non invasive de taux de glucose dans le sang est basé sur la combinaison d'un transistor à haute mobilité d'électrons pseudo-conducteur à grille ouverte et d'une antenne Vivaldi installée dans la zone de grille ouverte du transistor. Le capteur peut détecter un rayonnement sub-térahertz (sub-THz) produit par le corps d'un utilisateur, et comprend une structure d'hétérojonction constituée des couches de matériaux semi-conducteurs mono ou polycristallins GaN/AlGaN empilées alternativement et un canal conducteur comprenant un gaz d'électrons bidimensionnel (GE2D) ou un gaz de trous bidimensionnel (HG2D) formé au niveau de l'interface entre les couches de GaN/AlGaN. La sensibilité la plus élevée du capteur est obtenue lorsque l'épaisseur de la couche évidée supérieure (GaN ou AlGaN) dans la zone de grille ouverte entre les contacts de source et de drain est de 5 à 9 nm et que la rugosité de surface de cette couche supérieure est d'environ 0,2 nm ou moins.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)