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1. (WO2019049013) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
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N° de publication : WO/2019/049013 N° de la demande internationale : PCT/IB2018/056697
Date de publication : 14.03.2019 Date de dépôt international : 03.09.2018
CIB :
G11C 5/02 (2006.01) ,G11C 7/12 (2006.01) ,G11C 11/4091 (2006.01) ,H01L 21/8242 (2006.01) ,H01L 27/10 (2006.01) ,H01L 27/108 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01)
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
5
Détails de mémoires couverts par le groupe G11C11/71
02
Disposition d'éléments d'emmagasinage, p.ex. sous la forme d'une matrice
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
7
Dispositions pour écrire une information ou pour lire une information dans une mémoire numérique
12
Circuits de commande de lignes de bits, p.ex. circuits d'attaque, de puissance, de tirage vers le haut, d'abaissement, circuits de précharge, circuits d'égalisation, pour lignes de bits
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
11
Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants
21
utilisant des éléments électriques
34
utilisant des dispositifs à semi-conducteurs
40
utilisant des transistors
401
formant des cellules nécessitant un rafraîchissement ou une régénération de la charge, c. à d. cellules dynamiques
4063
Circuits auxiliaires, p.ex. pour l'adressage, le décodage, la commande, l'écriture, la lecture ou la synchronisation
407
pour des cellules de mémoire du type à effet de champ
409
Circuits de lecture-écriture (R-W)
4091
Amplificateurs de lecture ou de lecture/rafraîchissement, ou circuits de lecture associés, p.ex. pour la précharge, la compensation ou l'isolation des lignes de bits couplées
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78
avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82
pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
822
le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
8232
Technologie à effet de champ
8234
Technologie MIS
8239
Structures de mémoires
8242
Structures de mémoires dynamiques à accès aléatoire (DRAM)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04
le substrat étant un corps semi-conducteur
10
comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04
le substrat étant un corps semi-conducteur
10
comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive
105
comprenant des composants à effet de champ
108
Structures de mémoires dynamiques à accès aléatoire
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
78
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
786
Transistors à couche mince
Déposants :
株式会社半導体エネルギー研究所 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 神奈川県厚木市長谷398 398, Hase, Atsugi-shi, Kanagawa 2430036, JP
Inventeurs :
大貫達也 ONUKI, Tatsuya; JP
松嵜隆徳 MATSUZAKI, Takanori; JP
加藤清 KATO, Kiyoshi; JP
山崎舜平 YAMAZAKI, Shunpei; JP
Données relatives à la priorité :
2017-17076606.09.2017JP
2017-17111606.09.2017JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
Abrégé :
(EN) Provided is a novel semiconductor device. The semiconductor device comprises a plurality of cell arrays and a plurality of peripheral circuits, wherein each cell array has a plurality of memory cells; each peripheral circuit has a first drive circuit, a second drive circuit, a first amplification circuit, a second amplification circuit, a third amplification circuit and a fourth amplification circuit; the first drive circuit and the second drive circuit have the function of supplying a selection signal to a cell array; the first amplification circuit and the second amplification circuit have the function of amplifying a potential inputted from a cell array; the third amplification circuit and the fourth amplification circuit have the function of amplifying a potential inputted from the first amplification circuit or the second amplification circuit; the first drive circuit, the second drive circuit, the first amplification circuit, the second amplification circuit, the third amplification circuit and the fourth amplification circuit each have a region overlapping a cell array; and the memory cells include a metal oxide in the channel formation region.
(FR) L’invention concerne un nouveau dispositif à semi-conducteur. Le dispositif à semi-conducteur comprend une pluralité de réseaux de cellules et une pluralité de circuits périphériques, chaque réseau de cellules comportant une pluralité de cellules de mémoire ; chaque circuit périphérique comporte un premier circuit d'attaque, un second circuit d'attaque, un premier circuit d'amplification, un second circuit d'amplification, un troisième circuit d'amplification et un quatrième circuit d'amplification ; le premier circuit d'attaque et le second circuit d'attaque ont pour fonction de fournir un signal de sélection à un réseau de cellules ; le premier circuit d'amplification et le second circuit d'amplification ont pour fonction d'amplifier un potentiel entré à partir d'un réseau de cellules ; le troisième circuit d'amplification et le quatrième circuit d'amplification ont pour fonction d'amplifier un potentiel entré à partir du premier circuit d'amplification ou du second circuit d'amplification ; le premier circuit d'attaque, le second circuit d'attaque, le premier circuit d'amplification, le second circuit d'amplification, le troisième circuit d'amplification et le quatrième circuit d'amplification comportent chacun une région chevauchant un réseau de cellules ; et les cellules de mémoire comprennent un oxyde métallique dans la région de formation de canal.
(JA) 要約書 新規な半導体装置の提供。 複数のセルアレイと、複数の周辺回路と、を有し、セルアレイは、複数のメモリセルを有し、周辺回 路は、第1の駆動回路と、第2の駆動回路と、第1の増幅回路と、第2の増幅回路と、第3の増幅回 路と、 第4の増幅回路と、 を有し、 第1の駆動回路及び第2の駆動回路は、 セルアレイに選択信号を 供給する機能を有し、 第1の増幅回路及び第2の増幅回路は、 セルアレイから入力された電位を増幅 する機能を有し、 第3の増幅回路及び第4の増幅回路は、 第1の増幅回路又は第2の増幅回路から入 力された電位を増幅する機能を有し、 第1の駆動回路と、 第2の駆動回路と、 第1の増幅回路と、 第 2の増幅回路と、 第3の増幅回路と、 第4の増幅回路は、 セルアレイと重なる領域を有し、 メモリセ ルは、チャネル形成領域に金属酸化物を含む半導体装置。
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)