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1. (WO2019048982) DISPOSITIF DE CALCUL ET ÉQUIPEMENT ÉLECTRONIQUE
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N° de publication : WO/2019/048982 N° de la demande internationale : PCT/IB2018/056531
Date de publication : 14.03.2019 Date de dépôt international : 28.08.2018
CIB :
G06F 1/32 (2006.01) ,G06G 7/60 (2006.01) ,H01L 21/8242 (2006.01) ,H01L 27/108 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01)
G PHYSIQUE
06
CALCUL; COMPTAGE
F
TRAITEMENT ÉLECTRIQUE DE DONNÉES NUMÉRIQUES
1
Détails non couverts par les groupes G06F3/-G06F13/89
26
Alimentation en énergie électrique, p.ex. régulation à cet effet
32
Moyens destinés à économiser de l'énergie
G PHYSIQUE
06
CALCUL; COMPTAGE
G
CALCULATEURS ANALOGIQUES
7
Dispositifs dans lesquels l'opération de calcul est effectuée en faisant varier des grandeurs électriques ou magnétiques
48
Calculateurs analogiques pour des procédés, des systèmes ou des dispositifs spécifiques, p.ex. simulateurs
60
d'êtres vivants, p.ex. leur système nerveux
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78
avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82
pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
822
le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
8232
Technologie à effet de champ
8234
Technologie MIS
8239
Structures de mémoires
8242
Structures de mémoires dynamiques à accès aléatoire (DRAM)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04
le substrat étant un corps semi-conducteur
10
comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive
105
comprenant des composants à effet de champ
108
Structures de mémoires dynamiques à accès aléatoire
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
78
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
786
Transistors à couche mince
Déposants :
株式会社半導体エネルギー研究所 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 神奈川県厚木市長谷398 398, Hase, Atsugi-shi, Kanagawa 2430036, JP
Inventeurs :
石津貴彦 ISHIZU, Takahiko; JP
池田隆之 IKEDA, Takayuki; JP
磯部敦生 ISOBE, Atsuo; JP
宮口厚 MIYAGUCHI, Atsushi; JP
山崎舜平 YAMAZAKI, Shunpei; JP
Données relatives à la priorité :
2017-17150906.09.2017JP
2017-17151106.09.2017JP
2017-17152406.09.2017JP
Titre (EN) COMPUTATION DEVICE AND ELECTRONIC EQUIPMENT
(FR) DISPOSITIF DE CALCUL ET ÉQUIPEMENT ÉLECTRONIQUE
(JA) 演算装置および電子機器
Abrégé :
(EN) The purpose of the present invention is to provide a computation device and electronic equipment that consume little power. The purpose of the present invention is to provide a computation device and electronic equipment capable of high-speed operation. The purpose of the present invention is to provide a computation device and electronic equipment in which heat generation can be suppressed. The computation device has a first computation unit and a second computation unit. The first computation unit has a first CPU core and a second CPU core. The second computation unit has a first GPU core and a second GPU core. Each CPU core has a power gating function, and has a first data holding circuit connected to a flip flop. The first GPU core has a second data holding circuit capable of holding an analog value and reading out the analog value as two or more bits of digital data. The second GPU core has a third data holding circuit capable of holding a digital value and reading out the digital value as one bit of digital data. The first through third holding circuits each have a capacitor element and a transistor that has an oxide semiconductor.
(FR) La présente invention a pour objet de fournir un dispositif de calcul et un équipement électronique qui consomment peu d'énergie. La présente invention a pour objet de fournir un dispositif de calcul et un équipement électronique pouvant fonctionner à grande vitesse. La présente invention a pour objet de fournir un dispositif de calcul et un équipement électronique dans lesquels la génération de chaleur peut être supprimée. Le dispositif de calcul comprend une première unité de calcul et une seconde unité de calcul. La première unité de calcul comprend un premier cœur de CPU et un second cœur de CPU. La seconde unité de calcul comprend un premier cœur de GPU et un second cœur de GPU. Chaque cœur de CPU a une fonction de portillonnage de puissance, et a un premier circuit de maintien de données connecté à une bascule bistable. Le premier cœur de GPU a un second circuit de maintien de données capable de maintenir une valeur analogique et de lire la valeur analogique sous la forme d'au moins deux bits de données numériques. Le second cœur de GPU a un troisième circuit de maintien de données capable de maintenir une valeur numérique et de lire la valeur numérique en tant que bit de données numériques. Les premier à troisième circuits de maintien comprennent chacun un élément de condensateur et un transistor qui a un semi-conducteur d'oxyde.
(JA) 要約書 消費電力の小さい演算装置および電子機器を提供すること。高速動作が可能な演算装置および電子機器 を提供すること。発熱の抑制が可能な演算装置および電子機器を提供すること。 演算装置は、第1の演算部と、第2の演算部と、を有する。第1の演算部は、第1のCPUコアと、第2のCPU コアと、を有する。第2の演算部は、第1のGPUコアと、第2のGPUコアと、を有する。CPUコアは、パワー ゲーティング機能を有し、フリップフロップに接続されている第1のデータ保持回路を有する。第1のGPUコ アは、アナログ値を保持し、2ビット以上のデジタルデータとして読み出すことができる第2のデータ保持回 路を有する。第2のGPUコアは、デジタル値を保持し、1ビットのデジタルデータとして読み出すことができる 第3のデータ保持回路を有する。第1乃至第3のデータ保持回路は、それぞれ酸化物半導体を有するトラン ジスタおよび容量素子を有する。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)