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1. (WO2019048979) ÉQUIPEMENT ÉLECTRONIQUE
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N° de publication : WO/2019/048979 N° de la demande internationale : PCT/IB2018/056473
Date de publication : 14.03.2019 Date de dépôt international : 27.08.2018
CIB :
G06G 7/60 (2006.01) ,G05F 3/26 (2006.01) ,G06N 3/063 (2006.01) ,G11C 11/405 (2006.01) ,H01L 21/8242 (2006.01) ,H01L 27/108 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01)
G PHYSIQUE
06
CALCUL; COMPTAGE
G
CALCULATEURS ANALOGIQUES
7
Dispositifs dans lesquels l'opération de calcul est effectuée en faisant varier des grandeurs électriques ou magnétiques
48
Calculateurs analogiques pour des procédés, des systèmes ou des dispositifs spécifiques, p.ex. simulateurs
60
d'êtres vivants, p.ex. leur système nerveux
G PHYSIQUE
05
COMMANDE; RÉGULATION
F
SYSTÈMES DE RÉGULATION DES VARIABLES ÉLECTRIQUES OU MAGNÉTIQUES
3
Systèmes non rétroactifs pour la régulation des variables électriques par l'utilisation d'un élément non commandé, ou d'une combinaison d'éléments non commandés, un tel élément ou une telle combinaison étant propre à exercer par lui-même une régulation
02
Régulation de la tension ou du courant
08
là où la tension ou le courant sont continus
10
utilisant des dispositifs non commandés à caractéristiques non linéaires
16
consistant en des dispositifs à semi-conducteurs
20
en utilisant des combinaisons diode-transistor
26
Miroirs de courant
G PHYSIQUE
06
CALCUL; COMPTAGE
N
SYSTÈMES DE CALCULATEURS BASÉS SUR DES MODÈLES DE CALCUL SPÉCIFIQUES
3
Systèmes de calculateurs basés sur des modèles biologiques
02
utilisant des modèles de réseaux neuronaux
06
Réalisation physique, c. à d. mise en oeuvre matérielle de réseaux neuronaux, de neurones ou de parties de neurones
063
utilisant des moyens électroniques
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
11
Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants
21
utilisant des éléments électriques
34
utilisant des dispositifs à semi-conducteurs
40
utilisant des transistors
401
formant des cellules nécessitant un rafraîchissement ou une régénération de la charge, c. à d. cellules dynamiques
403
avec régénération de la charge commune à plusieurs cellules de mémoire, c. à d. rafraîchissement externe
405
avec trois portes à transfert de charges, p.ex. transistors MOS, par cellule
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78
avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82
pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
822
le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
8232
Technologie à effet de champ
8234
Technologie MIS
8239
Structures de mémoires
8242
Structures de mémoires dynamiques à accès aléatoire (DRAM)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04
le substrat étant un corps semi-conducteur
10
comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive
105
comprenant des composants à effet de champ
108
Structures de mémoires dynamiques à accès aléatoire
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
78
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
786
Transistors à couche mince
Déposants :
株式会社半導体エネルギー研究所 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 神奈川県厚木市長谷398 398, Hase, Atsugi-shi, Kanagawa 2430036, JP
Inventeurs :
原田伸太郎 HARADA, Shintaro; JP
井上達則 INOUE, Tatsunori; JP
黒川義元 KUROKAWA, Yoshiyuki; JP
山崎舜平 YAMAZAKI, Shunpei; JP
Données relatives à la priorité :
2017-17082506.09.2017JP
Titre (EN) ELECTRONIC EQUIPMENT
(FR) ÉQUIPEMENT ÉLECTRONIQUE
(JA) 電子機器
Abrégé :
(EN) Provided is electronic equipment having a semiconductor device capable of intermittent operation. The electronic equipment has a semiconductor device, and the semiconductor device has a current mirror circuit, a bias circuit and first through third transistors. The current mirror circuit has a first output terminal and a second output terminal, and is electrically connected to a power source supply line via the first transistor. The current mirror circuit has a function whereby currents corresponding to the potential of the first output terminal are respectively output from the first output terminal and the second output terminal. The bias circuit has a current source circuit and a current sink circuit. The current source circuit is electrically connected to the second output terminal via the second transistor, and the current sink circuit is electrically connected to the second output terminal via the third transistor. The intermittent operation of the semiconductor device is achieved by switching the on/off states of the first through third transistors.
(FR) L'invention concerne un équipement électronique comportant un dispositif à semi-conducteur capable de fonctionner par intermittence. L'équipement électronique comprend un dispositif à semi-conducteur, et le dispositif à semi-conducteur comporte un circuit miroir de courant, un circuit de polarisation et des premier à troisième transistors. Le circuit miroir de courant comporte une première borne de sortie et une deuxième borne de sortie, et est connecté électriquement à une ligne d'alimentation de source d'énergie par l'intermédiaire du premier transistor. Le circuit miroir de courant a une fonction selon laquelle des courants correspondant au potentiel de la première borne de sortie sont respectivement fournis par la première borne de sortie et la deuxième borne de sortie. Le circuit de polarisation comporte un circuit source de courant et un circuit collecteur de courant. Le circuit source de courant est connecté électriquement à la deuxième borne de sortie par l'intermédiaire du deuxième transistor, et le circuit collecteur de courant est connecté électriquement à la deuxième borne de sortie par l'intermédiaire du troisième transistor. Le fonctionnement intermittent du dispositif à semi-conducteur est obtenu par commutation des états passant/bloquant des premier à troisième transistors.
(JA) 要約書 間欠駆動が可能な半導体装置を有する電子機器を提供する。 電子機器は半導体装置を有し、 半導体装置はカレントミラー回路と、 バイアス回路と、 第1乃至第3 トランジスタと、を有する。カレントミラー回路は、第1出力端子と、第2出力端子と、を有し、カ レントミラー回路は、 第1トランジスタを介して、 電源供給線と電気的に接続されている。 また、 カ レントミラー回路は、 第1出力端子の電位に応じた電流を、 第1出力端子及び第2出力端子からそれ ぞれ出力する機能を有する。バイアス回路は、電流ソース回路と、電流シンク回路と、を有し、電流 ソース回路は、第2トランジスタを介して、第2出力端子と電気的に接続され、電流シンク回路は、 第3トランジスタを介して、 第2出力端子と電気的に接続されている。 第1乃至第3トランジスタの オン状態、オフ状態の切り替えによって、半導体装置で間欠駆動を実現する。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)