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1. (WO2019048828) RÉGULATEUR DE TENSION
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N° de publication : WO/2019/048828 N° de la demande internationale : PCT/GB2018/052456
Date de publication : 14.03.2019 Date de dépôt international : 30.08.2018
CIB :
G05F 1/575 (2006.01)
G PHYSIQUE
05
COMMANDE; RÉGULATION
F
SYSTÈMES DE RÉGULATION DES VARIABLES ÉLECTRIQUES OU MAGNÉTIQUES
1
Systèmes automatiques dans lesquels les écarts d'une grandeur électrique par rapport à une ou plusieurs valeurs prédéterminées sont détectés à la sortie et réintroduits dans un dispositif intérieur au système pour ramener la grandeur détectée à sa valeur ou à ses valeurs prédéterminées, c. à d. systèmes rétroactifs
10
Régulation de la tension ou de l'intensité
46
là où la variable effectivement régulée par le dispositif de réglage final est du type continu
56
utilisant des dispositifs à semi-conducteurs en série avec la charge comme dispositifs de réglage final
575
caractérisé par le circuit de rétroaction
Déposants :
NORDIC SEMICONDUCTOR ASA [NO/NO]; Otto Nielsens veg 12 7052 Trondheim, NO
SAMUELS, Adrian James [GB/GB]; GB (MG)
Inventeurs :
FARIAN, Lukasz; NO
Mandataire :
DEHNS; St Bride's House 10 Salisbury Square London EC4Y 8JD, GB
Données relatives à la priorité :
1714328.006.09.2017GB
Titre (EN) VOLTAGE REGULATOR
(FR) RÉGULATEUR DE TENSION
Abrégé :
(EN) A low-dropout voltage regulator (2) is arranged to receive an input voltage (VDD) and produce an output voltage (V0UT)- A pass field-effect-transistor (MPASS) has a first terminal connected to the input voltage and a second terminal arranged to produce the output voltage. An error amplifier (4) is arranged to produce an error signal (VSF) proportional to a difference between a feedback voltage (VFB) and a reference voltage (VREF)- The error signal (VSF) is applied to the gate terminal of a source follower transistor (MNA). The drain terminal of the source follower transistor (MNA) is connected to the input voltage (VDD), and its source terminal is connected to the gate terminal of the pass field-effect-transistor (MPASS)- An adaptive biasing circuit portion (6) is arranged to measure the error signal (VSF) and produce a bias current (lM1, I ADAPTIVE) which depends on said error signal (VSF), and to supply the bias current (lM1, IADAPTIVE) to the source follower transistor (MNA).
(FR) La présente invention concerne un régulateur de tension à faible chute de tension (2) conçu pour recevoir une tension d'entrée (VDD) et produire une tension de sortie (VOUT)-. Un transistor à effet de champ de chute (MPASS) présente une première borne connectée à la tension d'entrée et une seconde borne conçue pour produire la tension de sortie. Un amplificateur d'erreur (4) est conçu pour produire un signal d'erreur (VSF) proportionnel à une différence entre une tension de rétroaction (VFB) et une tension de référence (VREF)-. Le signal d'erreur (VSF) est appliqué à la borne de grille d'un transistor suiveur de source (MNA). La borne de drain du transistor suiveur de source (MNA) est connectée à la tension d'entrée (VDD), et sa borne de source est connectée à la borne de grille du transistor à effet de champ de chute (MPASS)-. Une partie de circuit de polarisation adaptative (6) est conçue pour mesurer le signal d'erreur (VSF) et produire un courant de polarisation (lM1, I ADAPTATIVE) qui dépend dudit signal d'erreur (VSF), et pour fournir le courant de polarisation (lM1, IADAPTATIVE) au transistor suiveur de source (MNA).
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)