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1. (WO2019048767) PROCEDE DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF D'AFFICHAGE EMISSIF A LED
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N° de publication : WO/2019/048767 N° de la demande internationale : PCT/FR2018/052152
Date de publication : 14.03.2019 Date de dépôt international : 03.09.2018
CIB :
H01L 25/075 (2006.01) ,H01L 33/58 (2010.01) ,H01L 33/62 (2010.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
03
les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes H01L27/-H01L51/132
04
les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
075
les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe H01L33/81
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48
caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
58
Éléments de mise en forme du champ optique
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48
caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
62
Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
Déposants :
COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES [FR/FR]; Bâtiment Le Ponant D 25 Rue Leblanc 75015 Paris, FR
Inventeurs :
ROBIN, Ivan-Christophe; FR
CAPLET, Stéphane; FR
ROSSINI, Umberto; FR
Mandataire :
CABINET BEAUMONT; 4 Place Robert Schuman B.P. 1529 38025 Grenoble Cedex 1, FR
Données relatives à la priorité :
175818905.09.2017FR
Titre (EN) PROCESS FOR MANUFACTURING AN LED-BASED EMISSIVE DISPLAY DEVICE
(FR) PROCEDE DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF D'AFFICHAGE EMISSIF A LED
Abrégé :
(EN) The invention relates to a process for manufacturing an LED-based display device, including the following successive steps: a) adding, to a planar face of a carrier wafer (150) made of a transparent material, the other face of which is structured and defines a plurality of microlenses, a plurality of semiconductor chips (100), each comprising at least one LED; and b) forming a network (130) of conductive interconnect tracks making contact with the chips (100) via their face that is opposite the carrier wafer (150).
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage à LED, comportant les étapes successives suivantes : a) reporter, sur une face plane d'une plaque de support (150) en un matériau transparent dont l'autre face est structurée et définit une pluralité de microlentilles, une pluralité de puces semiconductrices (100) comprenant chacune au moins une LED; et b) former un réseau (130) de pistes conductrices d'interconnexion contactant les puces (100) par leur face opposée à la plaque de support (150).
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Français (FR)
Langue de dépôt : Français (FR)