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1. (WO2019048740) INTÉGRATION HYBRIDE DE PUCES PHOTONIQUES À COUPLAGE UNILATÉRAL
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N° de publication : WO/2019/048740 N° de la demande internationale : PCT/FI2018/050635
Date de publication : 14.03.2019 Date de dépôt international : 07.09.2018
CIB :
G02B 6/26 (2006.01) ,G02B 6/13 (2006.01) ,G02B 6/42 (2006.01) ,H01L 21/52 (2006.01) ,H01L 23/13 (2006.01) ,H01L 21/56 (2006.01) ,H01S 5/10 (2006.01) ,H04B 10/00 (2013.01) ,B82Y 20/00 (2011.01) ,H01L 23/00 (2006.01)
G PHYSIQUE
02
OPTIQUE
B
ÉLÉMENTS, SYSTÈMES OU APPAREILS OPTIQUES
6
Guides de lumière; Détails de structure de dispositions comprenant des guides de lumière et d'autres éléments optiques, p.ex. des moyens de couplage
24
Couplage de guides de lumière
26
Moyens de couplage optique
G PHYSIQUE
02
OPTIQUE
B
ÉLÉMENTS, SYSTÈMES OU APPAREILS OPTIQUES
6
Guides de lumière; Détails de structure de dispositions comprenant des guides de lumière et d'autres éléments optiques, p.ex. des moyens de couplage
10
du type guide d'ondes optiques
12
du genre à circuit intégré
13
Circuits optiques intégrés caractérisés par le procédé de fabrication
G PHYSIQUE
02
OPTIQUE
B
ÉLÉMENTS, SYSTÈMES OU APPAREILS OPTIQUES
6
Guides de lumière; Détails de structure de dispositions comprenant des guides de lumière et d'autres éléments optiques, p.ex. des moyens de couplage
24
Couplage de guides de lumière
42
Couplage de guides de lumière avec des éléments opto-électroniques
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
50
Assemblage de dispositifs à semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par l'un uniquement des groupes H01L21/06-H01L21/326185
52
Montage des corps semi-conducteurs dans les conteneurs
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
12
Supports, p.ex. substrats isolants non amovibles
13
caractérisés par leur forme
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
50
Assemblage de dispositifs à semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par l'un uniquement des groupes H01L21/06-H01L21/326185
56
Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
S
DISPOSITIFS UTILISANT L'ÉMISSION STIMULÉE
5
Lasers à semi-conducteurs
10
Structure ou forme du résonateur optique
H ÉLECTRICITÉ
04
TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
B
TRANSMISSION
10
Systèmes de transmission utilisant des ondes électromagnétiques autres que les ondes hertziennes, p.ex. les infrarouges, la lumière visible ou ultraviolette, ou utilisant des radiations corpusculaires, p.ex. les communications quantiques
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
82
NANOTECHNOLOGIE
Y
UTILISATION OU APPLICATIONS SPÉCIFIQUES DES NANOSTRUCTURES; MESURE OU ANALYSE DES NANOSTRUCTURES; FABRICATION OU TRAITEMENT DES NANOSTRUCTURES
20
Nano-optique, p.ex. optique quantique ou cristaux photoniques
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
Déposants :
TEKNOLOGIAN TUTKIMUSKESKUS VTT OY [FI/FI]; Vuorimiehentie 3 02150 Espoo, FI
Inventeurs :
AALTO, Timo; FI
CHERCHI, Matteo; FI
HARJANNE, Mikko; FI
GUINA, Mircea; FI
Mandataire :
SEPPO LAINE OY; Itämerenkatu 3 A 00180 Helsinki, FI
Données relatives à la priorité :
62/555,66608.09.2017US
Titre (EN) HYBRID INTEGRATION OF PHOTONIC CHIPS WITH SINGLE-SIDED COUPLING
(FR) INTÉGRATION HYBRIDE DE PUCES PHOTONIQUES À COUPLAGE UNILATÉRAL
Abrégé :
(EN) According to an example aspect of the present invention, there is provided a method for integrating photonic circuits (201, 203) comprising optical waveguides (204, 205), where a smaller chip (203) with at least one first photonic circuit is aligned and bonded on top of a larger chip (201) having at least one second photonic circuit in order to couple light between optical waveguides (204, 205) on each chip (201, 203), wherein optical coupling between the waveguides (204, 205) on said chips (201, 203) occurs from a single side (211) of said smaller chip.
(FR) Selon un aspect à titre d'exemple de la présente invention, l'invention concerne un procédé d'intégration de circuits photoniques (201, 203) comprenant des guides d'ondes optiques (204, 205), une puce plus petite (203) ayant au moins un premier circuit photonique étant alignée et collée au-dessus d'une puce plus grande (201) ayant au moins un second circuit photonique afin de coupler la lumière entre des guides d'ondes optiques (204, 205) sur chaque puce (201, 203), un couplage optique entre les guides d'ondes (204, 205) sur lesdites puces (201, 203) se produisant à partir d'un seul côté (211) de ladite puce plus petite.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)