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1. (WO2019048693) PROCÉDÉ DE GRAVURE D'UNE SURFACE CONTENANT DU SILICIUM
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N° de publication : WO/2019/048693 N° de la demande internationale : PCT/EP2018/074401
Date de publication : 14.03.2019 Date de dépôt international : 11.09.2018
CIB :
H01L 21/02 (2006.01) ,H01L 21/311 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31
pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
3105
Post-traitement
311
Gravure des couches isolantes
Déposants :
AIXTRON SE [DE/DE]; Dornkaulstraße 2 52134 Herzogenrath, DE
Inventeurs :
SCHAPMANS, Elie; BE
MERCKLING, Clement; BE
BUTTITTA, Francesco; DE
PASKO, Sergej; DE
KARIM, M. Ziaul; US
KELMAN, Maxim; US
Mandataire :
GRUNDMANN, Dirk; DE
MÜLLER, Enno; DE
BRÖTZ, Helmut; DE
RIEDER, Hans-Joachim; DE
BOURREE, Hendrik; DE
Données relatives à la priorité :
10 2017 120 963.811.09.2017DE
Titre (EN) METHOD FOR ETCHING A SILICON CONTAINING SURFACE
(FR) PROCÉDÉ DE GRAVURE D'UNE SURFACE CONTENANT DU SILICIUM
Abrégé :
(EN) A Method for etching a silicon-containing surface of a substrate or a layer deposited on a substrate without forming solid adducts, wherein the method comprising: Flowing NF3 and H2 into an activation zone of a cleaning system or chamber, activating NF3 and H2 in the activation zone by forming H-radicals, forming gaseous HF in a first reaction of the H-radicals with NF3 and reaction products of NF3, flowing the gaseous HF to the surface and forming gaseous SiF4 in a second reaction of HF with SiO2 of the surface. The flow ratio of R=(NF3)/(NF3+H2) is less than 0.3 or is between 0.2 and 0.3. The substrate is maintained at a temperature between room temperature and 1050°C during the etching operation. The first reaction comprises first subsequent reactions of NF2 with H-radicals and NF with H-radicals. The first reaction comprises second subsequent reactions forming NH3. The first reaction comprises third subsequent reactions forming molecules comprising NH and F and F-radicals.
(FR) La présente invention concerne un procédé de gravure d'une surface contenant du silicium d'un substrat ou d'une couche déposée sur un substrat sans former d'additifs solides, le procédé consistant : à faire circuler du NF3 et du H2 dans une zone d'activation d'un système ou d'une chambre de nettoyage, à activer le NF3 et le H2 dans la zone d'activation par formation de radicaux H, à former du HF gazeux dans une première réaction des radicaux H avec du NF3 et des produits de réaction du NF3, à faire circuler le HF gazeux vers la surface et à former du SiF4 gazeux dans une seconde réaction du HF avec du SiO2 de la surface. Le rapport de débit de R=(NF3)/(NF3+H2) est inférieur à 0,3 ou est compris entre 0,2 et 0,3. Le substrat est maintenu à une température entre la température ambiante et 1050 °C pendant l'opération de gravure. La première réaction comprend des premières réactions ultérieures du NF2 avec des radicaux H et du NF avec des radicaux H. La première réaction comprend des deuxièmes réactions ultérieures formant du NH3. La première réaction comprend des troisièmes réactions ultérieures formant des molécules comprenant du NH et du F et des radicaux F.
front page image
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Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)