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1. (WO2019048415) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE, UTILISATION D’UNE DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE, PROCÉDÉ DE FONCTIONNEMENT D’UNE DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UNE DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE
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N° de publication : WO/2019/048415 N° de la demande internationale : PCT/EP2018/073704
Date de publication : 14.03.2019 Date de dépôt international : 04.09.2018
CIB :
H01L 33/50 (2010.01) ,H01L 33/00 (2010.01) ,A01G 7/04 (2006.01) ,H01L 33/48 (2010.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48
caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
50
Éléments de conversion de la longueur d'onde
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
A NÉCESSITÉS COURANTES DE LA VIE
01
AGRICULTURE; SYLVICULTURE; ÉLEVAGE; CHASSE; PIÉGEAGE; PÊCHE
G
HORTICULTURE; CULTURE DES LÉGUMES, DES FLEURS, DU RIZ, DES FRUITS, DE LA VIGNE, DU HOUBLON OU DES ALGUES; SYLVICULTURE; IRRIGATION
7
Botanique en général
04
Traitement électrique ou magnétique des végétaux pour favoriser leur croissance
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48
caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
Déposants :
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Inventeurs :
TÅNGRING, Ivar; DE
STOLL, Ion; DE
Mandataire :
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Données relatives à la priorité :
10 2017 120 642.607.09.2017DE
Titre (EN) LED, USE OF AN LED, METHOD FOR OPERATING AN LED, AND METHOD FOR PRODUCING AN LED
(FR) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE, UTILISATION D’UNE DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE, PROCÉDÉ DE FONCTIONNEMENT D’UNE DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UNE DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE
(DE) LEUCHTDIODE, VERWENDUNG EINER LEUCHTDIODE, VERFAHREN ZUM BETREIBEN EINER LEUCHTDIODE UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER LEUCHTDIODE
Abrégé :
(EN) An LED (100) has an optoelectronic semiconductor chip (1) and a converter element (2). The semiconductor chip and the converter element are designed such that, when operated as intended, the semiconductor chip emits first radiation. The converter element converts some of the first radiation emitted by the semiconductor chip into second radiation. The LED emits mixed radiation consisting of the unconverted first radiation and the second radiation. The mixed radiation has a spectrum having a first and a second local intensity maximum. The first intensity lies within a first spectral range (31) between 630 nm and 690 nm inclusive, and the second intensity maximum lies within a second spectral range (32) between 700 nm and 760 nm inclusive. The proportion of the mixed radiation within the second spectral range is at least 10% and at most 40% of the proportion of the mixed radiation within the first spectral range.
(FR) L’invention concerne une diode électroluminescente (100) qui comporte une puce semi-conductrice (1) optoélectronique et un élément convertisseur (2). La puce semi-conductrice et l’élément convertisseur sont conçus de telle sorte que la puce semi-conductrice émet un premier rayonnement lors de son fonctionnement normal. L’élément convertisseur convertit une partie du premier rayonnement émis par la puce semi-conductrice en un deuxième rayonnement. La diode électroluminescente émet un rayonnement mélangé constitué du premier rayonnement non converti et du deuxième rayonnement. Le rayonnement mélangé comporte un spectre pourvu d’un premier et d’un deuxième maximum local d’intensité. Le premier maximum d’intensité se situe dans une première plage spectrale (31) comprise entre 630 nm et 690 nm inclus, le deuxième maximum d’intensité se situe dans une deuxième plage spectrale (32) comprise entre 700 nm et 760 nm inclus. La partie se situant dans la deuxième plage spectrale du rayonnement mélangé est comprise entre au moins 10 % et au plus 40 % de la partie se situant dans la première plage spectrale du rayonnement mélangé.
(DE) Eine Leuchtdiode (100) weist einen optoelektronischen Halbleiterchip (1) und ein Konverterelement (2) auf. Der Halbleiterchip und das Konverterelement sind so eingerichtet, dass im bestimmungsgemäßen Betrieb der Halbleiterchiperste Strahlung emittiert. Das Konverterelement konvertiert einen Teil der von dem Halbleiterchip emittierten ersten Strahlung in zweite Strahlung. Die Leuchtdiode emittiert Mischstrahlung aus der nicht konvertierten ersten Strahlung und der zweiten Strahlung. Die Mischstrahlung weist ein Spektrum mit einem ersten und einem zweiten lokalen Intensitätsmaximum auf. Das erste Intensitätsmaximum liegt in einem ersten Spektralbereich (31) zwischen einschließlich 630 nm und 690 nm, das zweite Intensitätsmaximum liegt in einem zweiten Spektralbereich (32) zwischen einschließlich 700 nm und 760 nm. Der im zweiten Spektralbereich liegende Anteil der Mischstrahlung beträgt zumindest 10 % und höchstens 40 % des im ersten Spektralbereich liegenden Anteils der Mischstrahlung.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)