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1. (WO2019048393) COMPOSITION POUR DÉPÔT À LA TOURNETTE CONTENANT UN OXYDE INORGANIQUE UTILE EN TANT QUE MASQUES DURS ET MATÉRIAUX DE REMPLISSAGE AYANT UNE STABILITÉ THERMIQUE AMÉLIORÉE
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N° de publication : WO/2019/048393 N° de la demande internationale : PCT/EP2018/073657
Date de publication : 14.03.2019 Date de dépôt international : 04.09.2018
CIB :
C23C 18/12 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
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REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
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Revêtement chimique par décomposition soit de composés liquides, soit de solutions des composés constituant le revêtement, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement; Dépôt par contact
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par décomposition thermique
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caractérisée par le dépôt sur des matériaux inorganiques, autres que des matériaux métalliques
Déposants :
AZ ELECTRONIC MATERIALS (LUXEMBOURG) S.À.R.L. [LU/LU]; 46 Place Guillaume II 1648 Luxembourg, LU
Inventeurs :
YAO, Huirong; US
CHO, JoonYeon; US
RAHMAN, M. Dalil; US
Mandataire :
FÉAUX DE LACROIX, Stefan; DE
Données relatives à la priorité :
62/554,69506.09.2017US
Titre (EN) SPIN-ON INORGANIC OXIDE CONTAINING COMPOSITION USEFUL AS HARD MASKS AND FILLING MATERIALS WITH IMPROVED THERMAL STABILITY
(FR) COMPOSITION POUR DÉPÔT À LA TOURNETTE CONTENANT UN OXYDE INORGANIQUE UTILE EN TANT QUE MASQUES DURS ET MATÉRIAUX DE REMPLISSAGE AYANT UNE STABILITÉ THERMIQUE AMÉLIORÉE
Abrégé :
(EN) The present invention relates to a composition comprising; components a. c. and d; and optional component b. wherein, component a. is a metal compound having the structure (I), optional component b., is a polyol additive, having structure (VI), component c. is a high performance polymer additive, and component d. is a solvent. The present invention further relates to using this compositions in methods for manufacturing electronic devices through either the formation of a patterned films of high K material comprised of a metal oxide on a semiconductor substrate, or through the formation of patterned metal oxide comprised layer overlaying a semiconductor substrate which may be used to selectively etch the semiconductor substrate with a fluorine plasma.
(FR) La présente invention concerne une composition comprenant des constituants a, c et d, et un constituant b facultatif, le constituant a étant un composé métallique ayant la structure (I), le constituant b facultatif étant un additif polyol ayant la structure (VI), le constituant c étant un additif polymère à hautes performances et le constituant d étant un solvant. La présente invention concerne en outre l'utilisation de cette composition dans des procédés de fabrication de dispositifs électroniques soit par formation d'un film à motifs d'un matériau à coefficient K élevé constitué d'un oxyde métallique sur un substrat semi-conducteur, soit par formation d'une couche comprenant un oxyde métallique à motifs recouvrant un substrat semi-conducteur, ladite couche pouvant être utilisée pour graver sélectivement le substrat semi-conducteur avec un plasma de fluor.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)