Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2019048370) COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR ÉLECTROLUMINESCENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2019/048370 N° de la demande internationale : PCT/EP2018/073594
Date de publication : 14.03.2019 Date de dépôt international : 03.09.2018
CIB :
H01L 33/02 (2010.01) ,H01L 33/22 (2010.01) ,H01L 33/30 (2010.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02
caractérisés par les corps semi-conducteurs
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02
caractérisés par les corps semi-conducteurs
20
ayant une forme particulière, p.ex. substrat incurvé ou tronqué
22
Surfaces irrégulières ou rugueuses, p.ex. à l'interface entre les couches épitaxiales
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02
caractérisés par les corps semi-conducteurs
26
Matériaux de la région électroluminescente
30
contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique
Déposants :
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Inventeurs :
TONKIKH, Alexander; DE
GÖÖTZ, Britta; DE
Mandataire :
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Données relatives à la priorité :
10 2017 120 522.506.09.2017DE
Titre (EN) LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR COMPONENT
(FR) COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR ÉLECTROLUMINESCENT
(DE) LICHT EMITTIERENDES HALBLEITERBAUELEMENT
Abrégé :
(EN) The invention relates to a light-emitting semiconductor component (100) having a semiconductor layer sequence (1) based on a phosphide and/or arsenide compound semiconductor material system, wherein the semiconductor layer sequence (1) has a light-emitting semiconductor layer (10), which is designed to emit light during operation of the semiconductor component (100), between a first cladding layer (11) and a second cladding layer (12) and at least one first semiconductor protection layer (13), the first semiconductor protection layer (13) is arranged within the first cladding layer (11), formed as the outer layer, or directly on the first cladding layer (11) on a side facing away from the light-emitting semiconductor layer (10), as an outer layer, and the first semiconductor protection layer (13) has a lower aluminum content than the first cladding layer.
(FR) L’invention concerne un composant semi-conducteur électroluminescent (100) pourvu d’un empilement de couches semi-conductrices (1) à base d’un système de matériaux semi-conducteurs de composés de phosphure et/ou d’arséniure, l’empilement de couches semi-conductrices (1) comportant une couche semi-conductrice électroluminescente (10), qui sert à émettre de la lumière lors du fonctionnement du composant semi-conducteur (100), entre une première couche de gaine (11) et une deuxième couche de gaine (12) ainsi qu’au moins une première couche semi-conductrice protectrice (13), la première couche semi-conductrice protectrice (13) étant agencée à l’intérieur de la première couche de gaine (11) servant de couche extérieure ou directement sur la première couche de gaine (11) en tant que couche extérieure sur un côté détourné de la couche semi-conductrice électroluminescente (10) et la première couche semi-conductrice protectrice (13) comportant une teneur en aluminium inférieure à celle de la première couche de gaine.
(DE) Es wird ein Licht emittierendes Halbleiterbauelement (100) mit einer Halbleiterschichtenfolge (1) basierend auf einem Phosphid- und/oder Arsenid- Verbindungshalbleitermaterialsystem angegeben, wobei-die Halbleiterschichtenfolge (1) eine Licht emittierende Halbleiterschicht (10), die dazu eingerichtet ist, im Betrieb des Halbleiterbauelements (100) Licht abzustrahlen, zwischen einer ersten Mantelschicht (11) und einer zweiten Mantelschicht (12) sowie zumindest eine erste Halbleiterschutzschicht (13) aufweist,die erste Halbleiterschutzschicht (13) innerhalb der als Außenschicht ausgebildeten ersten Mantelschicht (11) oder unmittelbar auf der ersten Mantelschicht (11) auf einer der Licht emittierenden Halbleiterschicht (10) abgewandten Seite als Außenschicht angeordnet ist und die erste Halbleiterschutzschicht (13) einen niedrigeren Aluminiumgehalt als die erste Mantelschicht aufweist.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)