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1. (WO2019048059) BIOCAPTEUR À BASE DE TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP À DOUBLE GRILLE
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N° de publication : WO/2019/048059 N° de la demande internationale : PCT/EP2017/072661
Date de publication : 14.03.2019 Date de dépôt international : 08.09.2017
CIB :
G01N 27/414 (2006.01)
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
N
RECHERCHE OU ANALYSE DES MATÉRIAUX PAR DÉTERMINATION DE LEURS PROPRIÉTÉS CHIMIQUES OU PHYSIQUES
27
Recherche ou analyse des matériaux par l'emploi de moyens électriques, électrochimiques ou magnétiques
26
en recherchant des variables électrochimiques; en utilisant l'électrolyse ou l'électrophorèse
403
Ensembles de cellules et d'électrodes
414
Transistors à effet de champ sensibles aux ions ou chimiques, c. à d. ISFETS ou CHEMFETS
Déposants :
ECOLE POLYTECHNIQUE FEDERALE DE LAUSANNE (EPFL) [CH/CH]; EPFL-TTO EPFL Innovation Park J CH-1015 Lausanne, CH
Inventeurs :
GUERIN, Hoël; CH
IONESCU, Mihai, Adrian; CH
Mandataire :
LUMI IP GmbH; Rodtmattstrasse 45 3014 Bern, CH
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) DOUBLE-GATE FIELD-EFFECT-TRANSISTOR BASED BIOSENSOR
(FR) BIOCAPTEUR À BASE DE TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP À DOUBLE GRILLE
Abrégé :
(EN) The present invention concerns a biosensor (1) comprising: a source element (13); a drain element (17); a semiconductor channel element between the source element (13) and the drain element (17) for forming an electrically conductive channel with adjustable conductivity between the source and drain elements; a first gate element (3, 5) configured to be electrically biased to set a given operational regime of the sensor (1) with given electrical conductivity of the channel; and a second gate element (7), physically separate from the first gate element (3, 5), configured to be in contact with a solution comprising analytes allowed to interact with a gate contact surface of the second gate element (7) to generate a surface potential change dependent on the concentration of the analytes in the solution. The channel element (21) is substantially fully depleted allowing the first and second gate elements (3, 5, 7) to be electrostatically coupled such that the surface potential change at the second gate element (7) is configured to modify the electrical conductivity of the channel.
(FR) La présente invention concerne un biocapteur (1) comprenant : un élément source (13); un élément drain (17); un élément canal semi-conducteur entre l'élément source (13) et l'élément drain (17) pour former un canal électroconducteur avec une conductivité réglable entre les éléments source et drain; un premier élément grille (3, 5) conçu pour être polarisé électriquement pour régler un régime de fonctionnement donné du capteur (1) avec une conductivité électrique donnée du canal; et un second élément grille (7), physiquement séparé du premier élément grille (3, 5), conçu pour être en contact avec une solution comprenant des analytes pouvant interagir avec une surface de contact de grille du second élément grille (7) pour générer un changement de potentiel de surface dépendant de la concentration des analytes dans la solution. L'élément canal (21) est sensiblement complètement appauvri, permettant aux premier et second éléments grille (3, 5, 7) d'être couplés électrostatiquement de telle sorte que le changement de potentiel de surface au niveau du second élément de grille (7) est configuré pour modifier la conductivité électrique du canal.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)