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1. (WO2019047988) COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR À OXYDE MÉTALLIQUE À DIFFUSION BIDIRECTIONNELLE TRANSVERSALEMENT ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
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N° de publication : WO/2019/047988 N° de la demande internationale : PCT/CN2018/900005
Date de publication : 14.03.2019 Date de dépôt international : 01.09.2018
CIB :
H01L 29/78 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
78
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
Déposants :
无锡华润上华科技有限公司 CSMC TECHNOLOGIES FAB2 CO., LTD. [CN/CN]; 中国江苏省无锡市 新区新洲路8号 No. 8 Xinzhou Road Wuxi New District, Jiangsu 214028, CN
Inventeurs :
何乃龙 HE, Nailong; CN
张森 ZHANG, Sen; CN
李许超 LI, Xuchao; CN
Mandataire :
广州华进联合专利商标代理有限公司 ADVANCE CHINA IP LAW OFFICE; 中国广东省广州市天河区珠江东路6号4501房 (部位:自编01-03和08-12单元)(仅限办公用途) Room 4501, No. 6 Zhujiang East Road, Tianhe District, Guangzhou Guangdong 510623, CN
Données relatives à la priorité :
201710801871.707.09.2017CN
Titre (EN) TRANSVERSELY TWO-WAY DIFFUSED METAL OXIDE SEMICONDUCTOR COMPONENT AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR À OXYDE MÉTALLIQUE À DIFFUSION BIDIRECTIONNELLE TRANSVERSALEMENT ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 横向双扩散金属氧化物半导体器件及其制作方法
Abrégé :
(EN) A transversely two-way diffused metal oxide semiconductor component and a manufacturing method therefor. The transversely two-way diffused metal oxide semiconductor component comprises: a semiconductor substrate, the semiconductor substrate being provided thereon with a drift area; the drift area being provided therein with a trap area and a drain area, the trap area being provided therein with an active area and a channel; the drift area being provided therein with a deep trench isolation structure arranged between the trap area and the drain area, and the deep trench isolation structure being provided at the bottom thereof with alternately arranged first p-type injection areas and first n-type injection areas.
(FR) L'invention concerne un composant semi-conducteur à oxyde métallique à diffusion bidirectionnelle transversalement et son procédé de fabrication. Le composant semi-conducteur à oxyde métallique à diffusion bidirectionnelle transversalement comprend : un substrat semi-conducteur, sur lequel est disposée une zone de dérive. La zone de dérive comprend une zone de piège et d'une zone de drain, la zone de piège comprenant une zone active et un canal, et comprend intérieurement une structure d'isolation en tranchée profonde agencée entre la zone de piège et la zone de drain, la structure d'isolation en tranchée profonde étant disposée au fond de ladite zone de dérive et présentant des premières zones d'injection du type P et des premières zones d'injection du type N disposées en alternance.
(ZH) 一种横向双扩散金属氧化物半导体器件及其制作方法,该横向双扩散金属氧化物半导体器件包括:半导体衬底,在所述半导体衬底上形成有漂移区;在所述漂移区中形成有阱区和漏区,在所述阱区中形成有源区和沟道;在所述漂移区中形成有位于所述阱区和所述漏区之间的深沟槽隔离结构,在所述深沟槽隔离结构的底部形成有交替设置的第一P型注入区和第一N型注入区。
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Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)