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1. (WO2019047369) SUBSTRAT DE RÉSEAU ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
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N° de publication : WO/2019/047369 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/111071
Date de publication : 14.03.2019 Date de dépôt international : 15.11.2017
CIB :
G02F 1/1362 (2006.01)
G PHYSIQUE
02
OPTIQUE
F
DISPOSITIFS OU SYSTÈMES DONT LE FONCTIONNEMENT OPTIQUE EST MODIFIÉ PAR CHANGEMENT DES PROPRIÉTÉS OPTIQUES DU MILIEU CONSTITUANT CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES ET DESTINÉS À LA COMMANDE DE L'INTENSITÉ, DE LA COULEUR, DE LA PHASE, DE LA POLARISATION OU DE LA DIRECTION DE LA LUMIÈRE, p.ex. COMMUTATION, OUVERTURE DE PORTE, MODULATION OU DÉMODULATION; TECHNIQUES NÉCESSAIRES AU FONCTIONNEMENT DE CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES; CHANGEMENT DE FRÉQUENCE; OPTIQUE NON LINÉAIRE; ÉLÉMENTS OPTIQUES LOGIQUES; CONVERTISSEURS OPTIQUES ANALOGIQUES/NUMÉRIQUES
1
Dispositifs ou systèmes pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source de lumière indépendante, p.ex. commutation, ouverture de porte ou modulation; Optique non linéaire
01
pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur
13
basés sur des cristaux liquides, p.ex. cellules d'affichage individuelles à cristaux liquides
133
Dispositions relatives à la structure; Excitation de cellules à cristaux liquides; Dispositions relatives aux circuits
136
Cellules à cristaux liquides associées structurellement avec une couche ou un substrat semi-conducteurs, p.ex. cellules faisant partie d'un circuit intégré
1362
Cellules à adressage par une matrice active
Déposants :
深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS SEMICONDUCTOR DISPLAY TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; 中国广东省深圳市 光明新区公明街道塘明大道9-2号 No.9-2, Tangming Road, Gongming Street, Guangming New District Shenzhen, Guangdong 518132, CN
Inventeurs :
曹武 CAO, Wu; CN
柳铭岗 LIU, Minggang; CN
邓竹明 DENG, Zhuming; CN
林永伦 LIN, Yunglun; CN
Mandataire :
深圳市德力知识产权代理事务所 COMIPS INTELLECTUAL PROPERTY OFFICE; 中国广东省深圳市 福田区上步中路深勘大厦15E Room 15E Shenkan Building, Shangbu Zhong Road, Futian District Shenzhen, Guangdong 518028, CN
Données relatives à la priorité :
201710807260.308.09.2017CN
Titre (EN) ARRAY SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) SUBSTRAT DE RÉSEAU ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 阵列基板及其制作方法
Abrégé :
(EN) An array substrate and a manufacturing method therefor. The array substrate comprises: a base substrate (10), a TFT layer (20) provided on the base substrate (10), a protective layer (30) covering the base substrate (10) and the TFT layer (20), a color resist layer (40) provided on the protective layer (30), an organic planarization layer (50) covering the color resist layer (40) and the protective layer (30), and a BPS light shielding layer (60) provided on the organic planarization layer (50); the BPS light shielding layer (60) comprises: a black matrix (61), a main spacer (62) and an auxiliary spacer (63) provided on the black matrix (61); a first groove (51) is formed on a region of the organic planarization layer (50) corresponding to at least part of the black matrix (61), the black matrix (61) fills in the first groove (51). By forming the first groove (51) on the organic planarization layer (50) and filling the first groove (51) with the black matrix (61), the invention can lower the extent of the black matrix (61) protruding from a pixel region, preventing the black matrix (61) from forming barrier walls between sub-pixels and affecting the flow ability of the liquid crystals, ensuring the quality of liquid crystal cell processing and the display effect of the device.
(FR) La présente invention concerne un substrat de réseau et son procédé de fabrication. Le substrat de réseau comprend : un substrat de base (10), une couche (20) de transistor à couches minces (TFT) disposée sur le substrat de base (10), une couche protectrice (30) recouvrant le substrat de base (10) et la couche (20) de transistor à couches minces, une couche de résine photosensible colorée (40) disposée sur la couche protectrice (30), une couche de planarisation organique (50) recouvrant la couche de résine photosensible colorée (40) et la couche protectrice (30), et une couche pare-lumière à BPS (60) disposée sur la couche de planarisation organique (50); la couche pare-lumière à BPS (60) comprend : une matrice noire (61), un espaceur principal (62) et un espaceur auxiliaire (63) disposé sur la matrice noire (61); une première rainure (51) est formée sur une région de la couche de planarisation organique (50) correspondant à au moins une partie de la matrice noire (61), la matrice noire (61) remplit la première rainure (51). En formant la première rainure (51) sur la couche de planarisation organique (50) et en remplissant la première rainure (51) avec la matrice noire (61), l'invention peut réduire l'étendue de la matrice noire (61) faisant saillie d'une région de pixel, empêchant la matrice noire (61) de former des parois barrières entre des sous-pixels et d'affecter la fluidité des cristaux liquides, garantissant ainsi la qualité de traitement des cellules à cristaux liquides et l'effet d'affichage du dispositif.
(ZH) 一种阵列基板及其制作方法。阵列基板包括:衬底基板(10)、设于衬底基板(10)上的TFT层(20)、覆盖衬底基板(10)及TFT层(20)的保护层(30)、设于保护层(30)上的色阻层(40)、覆盖于色阻层(40)和保护层(30)上的有机平坦层(50)、及设于有机平坦层(50)上的BPS遮光层(60);BPS遮光层(60)包括:黑色矩阵(61)、以及设于黑色矩阵(61)上的主隔垫物(62)与辅助隔垫物(63);有机平坦层(50)在与至少部分黑色矩阵(61)对应的区域形成有第一凹槽(51),黑色矩阵(61)填充第一凹槽(51),通过在有机平坦层(50)上形成第一凹槽(51),并使得黑色矩阵(61)填入第一凹槽(51)中,能够降低黑色矩阵(61)的凸出像素区的程度,避免黑色矩阵(61)在各个子像素之间形成挡墙,影响液晶的流动性,保证液晶成盒制程质量和器件的显示效果。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)