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1. (WO2019047167) SYSTÈME DE PULVÉRISATION MAGNÉTRON À HAUT DÉBIT UTILISÉ POUR PRÉPARER UN MATÉRIAU COMPOSITE
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N° de publication : WO/2019/047167 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/101080
Date de publication : 14.03.2019 Date de dépôt international : 08.09.2017
CIB :
C23C 14/35 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
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REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
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Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
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caractérisé par le procédé de revêtement
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Pulvérisation cathodique
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par application d'un champ magnétique, p.ex. pulvérisation au moyen d'un magnétron
Déposants :
深圳市矩阵多元科技有限公司 SHENZHEN ARRAYED MATERIALS TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; 中国广东省深圳市 南山区西丽街道朗山路28号通产新兴产业园3号厂房1楼北侧 North 1F, Workshop No.3 and The New Industrial Park No.28 Lang Shan Road, Xili Street, Nanshan Shenzhen, Guangdong 518000, CN
Inventeurs :
胡凯 HU, Kai; CN
张晓军 ZHANG, Xiaojun; CN
Mandataire :
深圳市华优知识产权代理事务所(普通合伙) SHENZHEN HYVISION INTELLECTUAL PROPERTY ATTORNEY; 中国广东省深圳市 南山区高新区北区北环大道9116号富华科技大厦B栋805室 Room 805, Tower B, Fuhua Technology Building No.9116 Beihuan Road North High-Tech District, Nanshan Shenzhen, Guangdong 518000, CN
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) HIGH-THROUGHPUT MAGNETRON SPUTTERING SYSTEM USED FOR PREPARING COMPOSITE MATERIAL
(FR) SYSTÈME DE PULVÉRISATION MAGNÉTRON À HAUT DÉBIT UTILISÉ POUR PRÉPARER UN MATÉRIAU COMPOSITE
(ZH) 一种用于制备组合材料的高通量磁控溅射系统
Abrégé :
(EN) A system for preparing a composite material by means of high-throughput magnetron sputtering: a device (100) comprises a vacuum chamber (110), and a plurality of magnetron sputtering cathodes (120) and a substrate (130) that are disposed in the vacuum chamber (110); the substrate (130) is disposed at a top portion of the vacuum chamber (110), and the plurality of magnetron sputtering cathodes (120) are disposed obliquely opposite to the substrate (130), different magnetron sputtering cathodes (120) being provided thereon with different types of target materials; further comprised are a rotating baffle (140) and a driving mechanism (150) of the rotating baffle (140); the plurality of magnetron sputtering cathodes (120) are disposed around a rotating axis of the rotating baffle (140), and a through hole (141) is provided on the rotating baffle (140); when the rotating baffle (140) rotates one round about the axis, the through hole (141) on the rotating baffle (140) allows atoms that are emitted by the magnetron sputtering cathode (120) that emits the most atoms to not be blocked by the rotating baffle (140). The preparation system may achieve the batch production of a large amount of different materials by means of one process by using a gradient of magnetron sputtering, and may prevent interference between different target materials, while controlling the speed of target material substitution deposition, and may achieve atomic level mixing after atoms from different target materials are sputtered onto the substrate (130).
(FR) La présente invention concerne un système de préparation d'un matériau composite au moyen d'une pulvérisation magnétron à haut rendement : un dispositif (100) comprend une chambre à vide (110), et une pluralité de cathodes de pulvérisation magnétron (120) et un substrat (130) qui sont disposés dans la chambre à vide (110) ; le substrat (130) est disposé au niveau d'une partie supérieure de la chambre à vide (110), et la pluralité de cathodes de pulvérisation magnétron (120) sont disposées de manière oblique à l'opposé du substrat (130), différentes cathodes de pulvérisation magnétron (120) étant disposées sur celles-ci avec différents types de matériaux cibles ; un déflecteur rotatif (140) et un mécanisme d'entraînement (150) du déflecteur rotatif (140) sont également inclus ; la pluralité de cathodes de pulvérisation magnétron (120) sont disposées autour d'un axe de rotation du déflecteur rotatif (140), et un orifice traversant (141) est disposé sur le déflecteur rotatif (140) ; lorsque le déflecteur rotatif (140) tourne autour de l'axe, l’orifice traversant (141) sur le déflecteur rotatif (140) permet à des atomes qui sont émis par la cathode de pulvérisation magnétron (120) qui émet le plus d’atomes de ne pas être bloqués par le déflecteur rotatif (140). Le système de préparation peut réaliser la production par lots d'une grande quantité de matériaux différents au moyen d'un procédé en utilisant un gradient de pulvérisation magnétron, et peut empêcher une interférence entre différents matériaux cibles, tout en régulant la vitesse de dépôt de substitution de matériau cible, et peut atteindre un mélangeage de niveau atomique après la pulvérisation des atomes provenant de différents matériaux cibles sur le substrat (130).
(ZH) 一种高通量磁控溅射的组合材料制备系统,该装置(100)包括真空室(110),以及设置于真空室(110)中的多个磁控溅射阴极(120)和基片(130),基片(130)设置于真空室(110)顶部,多个磁控溅射阴极(120)斜对着基片(130)设置,不同的磁控溅射阴极(120)上设置不同类型的靶材,还包括旋转挡板(140)及旋转挡板(140)的驱动机构(150);多个磁控溅射阴极(120)围绕旋转挡板(140)的旋转轴设置,旋转挡板(140)上设置一通孔(141),且旋转挡板(140)绕轴旋转一周时,旋转挡板(140)上的通孔(141)使磁控溅射阴极(120)其中最多一者射出的原子不被旋转挡板(140)阻挡。该制备系统能够利用磁控溅射的梯度实现一次性批量生长成百上千种不同的材料,并且能够避免不同靶材之间的干扰,同时控制靶材更替沉积的速度,能实现不同靶材上的原子溅射到基片(130)后达到原子级别的混合。
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Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)