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1. (WO2019047149) STRUCTURE DE CONDITIONNEMENT D’ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE CONDITIONNEMENT
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N° de publication : WO/2019/047149 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/101006
Date de publication : 14.03.2019 Date de dépôt international : 08.09.2017
CIB :
H01L 33/48 (2010.01) ,H01L 33/52 (2010.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48
caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
H ÉLECTRICITÉ
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ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48
caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
52
Encapsulations
Déposants :
深圳前海小有技术有限公司 SHENZHEN QIANHAI XIAOYOU TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; 中国广东省深圳市 前海深港合作区前湾一路1号A栋201室万永泉 WAN, Yong Quan Room 201, A Building No. 1 Qianwan 1st Road, Zone of Shenzhen-Hongkong Cooperation Shenzhen, Guangdong 518000, CN
深圳佑荟半导体有限公司 SHENZHEN UVEI SILICON CO., LTD. [CN/CN]; 中国广东省深圳市 福田区华富街道彩田路东方新天地广场C座2006-122万永泉 WAN, Yong Quan Room 2006-122, C Tower, Oriental Plaza Caitian Road, Huafu Street, Futian District Shenzhen, Guangdong 518000, CN
Inventeurs :
何宗江 HE, Zongjiang; CN
贾志强 JIA, Zhiqiang; CN
Mandataire :
深圳国新南方知识产权代理有限公司 SHENZHEN CHINA INNOVATION SOUTH INTELLECTUAL PROPERTY AGENCY CO., LTD.; 中国广东省深圳市 福田区深南大道1006号深圳国际创新中心C座22层/陈艳欢 CHEN, YanHuan 22F, Block C, Shenzhen International Innovation Center No. 1006 Shennan Road, Futian District Shenzhen, Guangdong 518000, CN
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) PACKAGING STRUCTURE OF SEMICONDUCTOR ELEMENT AND PACKAGING METHOD THEREFOR
(FR) STRUCTURE DE CONDITIONNEMENT D’ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE CONDITIONNEMENT
(ZH) 半导体元件的封装结构及其封装方法
Abrégé :
(EN) A packaging structure of a semiconductor element and a packaging method therefor, the packaging structure comprising a light-transmitting cover (202), a support (203), a substrate (205), an electrode, and a chip (201); the substrate (205) is embedded into the support (203) and is sealingly bonded with the support (203), while the chip (201) is located on the substrate (205), and the electrode is used to electrically connect the chip (201) and an external part; the light-transmitting cover (202) covers an upper surface of the support (203) and is made of the same material as that of the support (203), being integrally welded together with the support (203). By means of using the design of the light-transmitting cover (202), the support (203), and the substrate (205), using a material having a high thermal conductivity coefficient as the substrate (205), and simultaneously using the same material to form the light-transmitting cover (202) and the support (203), the present invention ensures the heat dissipation of a packaging structure and also ensures the connection between the light-transmitting cover (202) and the support (203). Furthermore, a metal eutectic may be used to seal the substrate (205) and the support (203), which may achieve sealing and also be used as an electrode, thus simplifying the packaging process for the entire packaging structure.
(FR) L’invention concerne une structure de conditionnement d’un élément semi-conducteur et son procédé de conditionnement, la structure de conditionnement comprenant un couvercle émetteur de lumière (202), un support (203), un substrat (205), une électrode, et une puce (201) ; le substrat (205) est incorporé dans le support (203) et est soudé de manière étanche au support (203), tandis que la puce (201) est située sur le substrat (205), et l’électrode sert à connecter électriquement la puce (201) et une partie externe ; le couvercle émetteur de lumière (202) couvre une surface supérieure du support (203) et est constitué du même matériau que celui du support (203), étant soudé d’un bloc avec le support (203). Grâce à la conception du couvercle émetteur de lumière (202), du support (203), et du substrat (205), au moyen d’un matériau dont le coefficient de conductivité thermique est élevé en tant que substrat (205), et au moyen simultané du même matériau pour former le couvercle émetteur de lumière (202) et le support (203), la présente invention assure la dissipation thermique d’une structure de conditionnement et assure aussi la connexion entre le couvercle émetteur de lumière (202) et le support (203). En outre, un eutectique de métal peut servir à sceller le substrat (205) et le support (203), lequel peut assurer l’étanchéité et servir également d’électrode, simplifiant ainsi le processus de conditionnement pour l’ensemble de la structure de conditionnement.
(ZH) 一种半导体元件的封装结构及其封装方法,该封装结构包括透光罩(202)、支架(203)、基底(205)、电极和芯片(201),其中,所述基底(205)嵌在支架(203)中并与支架(203)密封粘接,所述芯片(201)位于所述基底(205)上,所述电极用于将所述芯片(201)与外部电连接,所述透光罩(202)覆盖所述支架(203)的上表面,并和所述支架(203)由相同材料制成且以一体化的方式焊接在一起。通过采用透光罩(202)、支架(203)和基底(205)的设计,采用高导热系数的材料作为基底(205),同时使用相同的材料形成透光罩(202)和支架(203),既保证了封装结构的散热性,而且保证了透光罩(202)和支架(203)之间的连接。进一步地,可以采用金属共晶体实现基底(205)和支架(203)的密封,既实现了密封性也可以作为电极,简化了整个封装结构的封装工艺。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)