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1. (WO2019047081) PROCÉDÉ DE FORMATION DE NANOFILM DE NITRURE DE CARBONE EN PHASE GRAPHITE DOPÉ AU SÉLÉNIUM SUR SURFACE D'ALUMINIUM
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N° de publication : WO/2019/047081 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/100783
Date de publication : 14.03.2019 Date de dépôt international : 06.09.2017
CIB :
B01J 27/24 (2006.01) ,C23C 18/02 (2006.01)
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
01
PROCÉDÉS OU APPAREILS PHYSIQUES OU CHIMIQUES EN GÉNÉRAL
J
PROCÉDÉS CHIMIQUES OU PHYSIQUES, p.ex. CATALYSE, CHIMIE DES COLLOÏDES; APPAREILLAGE APPROPRIÉ
27
Catalyseurs contenant les éléments halogènes, soufre, sélénium, tellure, phosphore ou azote ou leurs composés; Catalyseurs contenant des composés du carbone
24
Composés de l'azote
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
18
Revêtement chimique par décomposition soit de composés liquides, soit de solutions des composés constituant le revêtement, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement; Dépôt par contact
02
par décomposition thermique
Déposants :
深圳市同富达电子科技有限公司 SHENZHEN TONGFUDA ELECTRONIC TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; 中国广东省深圳 龙华新区大浪浪口工业区荣鸿泰工业园40栋五楼 5th Floor, Block 40, Ronghongtai Industrial Park, Langkou Industrial Area, Dalang, Longhua District Shenzhen, Guangdong 518000, CN
扬州大学 YANGZHOU UNIVERSITY [CN/CN]; 中国江苏省扬州市 大学南路88号 No. 88, South University Road Yangzhou, Jiangsu 225002, CN
Inventeurs :
俞磊 YU, Lei; CN
陆朝晖 LU, Zhaohui; CN
杨钰帆 YANG, Yufan; CN
陆朝阳 LU, Zhaoyang; CN
Mandataire :
深圳市智胜联合知识产权代理有限公司 NOZO & ASSOCIATES; 中国广东省深圳市 南山区南头街道智恒新兴产业园E区01B栋405室 Room 405, Building 01B, Area E, Zhiheng New Industrial Park, Nantou, Nanshan District Shenzhen, Guangdong 518000, CN
李永华 LI, Yonghua; CN
张广兴 ZHANG, Guangxing; CN
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) METHOD FOR FORMING SELENIUM-DOPED GRAPHITE PHASE CARBON NITRIDE NANO-FILM ON SURFACE OF ALUMINUM
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE NANOFILM DE NITRURE DE CARBONE EN PHASE GRAPHITE DOPÉ AU SÉLÉNIUM SUR SURFACE D'ALUMINIUM
(ZH) 一种在铝表面形成硒杂类石墨相碳化氮纳米膜的方法
Abrégé :
(EN) The present invention provides a method for forming a selenium-doped graphite phase carbon nitride nano-film on a surface of metal aluminum, so as to provide a key material for the development and manufacture of various human wearable devices and advanced industrial catalysts. Said method has simple and easy steps, can form a film material having a nanoscale thickness, and can achieve complete coverage of the metal surface.
(FR) La présente invention concerne un procédé de formation d'un nanofilm de nitrure de carbone en phase graphite dopé au sélénium sur une surface d'aluminium métallique, de façon à fournir un matériel clé pour le développement et la fabrication de divers dispositifs portatifs pour l'humain et de catalyseurs industriels avancés. Ledit procédé présente des étapes simples et faciles, est en mesure de produire un matériau de film d'une épaisseur nanométrique, et permet d'obtenir une couverture complète de la surface métallique.
(ZH) 本发明提出一种在金属铝表面形成硒杂类石墨相碳化氮纳米膜的方法,以为各种人体穿戴设备与先进工业催化剂的开发与制造提供关键材料,该方法步骤简单易行,可形成纳米级厚度的膜材料,并可实现金属表面的完全覆盖。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)