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1. (WO2019046777) CRISTAUX FERROÉLECTRIQUES FORMÉS D'UN COMPLEXE RELAXEUR-PBTIO3 MODIFIÉS PAR DES NANORÉGIONS POLAIRES
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N° de publication : WO/2019/046777 N° de la demande internationale : PCT/US2018/049194
Date de publication : 07.03.2019 Date de dépôt international : 31.08.2018
CIB :
H01L 41/187 (2006.01) ,H01L 41/316 (2013.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
41
Dispositifs piézo-électriques en général; Dispositifs électrostrictifs en général; Dispositifs magnétostrictifs en général; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
16
Emploi de matériaux spécifiés
18
pour des éléments piézo-électriques ou électrostrictifs
187
Compositions céramiques
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
41
Dispositifs piézo-électriques en général; Dispositifs électrostrictifs en général; Dispositifs magnétostrictifs en général; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
22
Procédés ou appareils spécialement adaptés à l'assemblage, la fabrication ou au traitement de dispositifs piézo-électriques ou électrostrictifs, ou de leurs parties constitutives
31
Application de parties ou de corps piézo-électriques ou électrostrictifs sur un élément électrique ou sur un autre support
314
par dépôt de couches piézo-électriques ou électrostrictives, p.ex. par impression par aérosol ou par sérigraphie
316
par dépôt en phase vapeur
Déposants :
TRS TECHNOLOGIES, INC. [US/US]; 2820 East College Avenue State College, Pennsylvania 16801, US
Inventeurs :
LUO, Jun; US
HACKENBERGER, Wesley S.; US
LI, Fei; US
ZHANG, Shujun; US
SHROUT, Thomas R.; US
Mandataire :
MARCUS, David; US
CROUSE, Brett A.; US
DOBREA, Diane; US
HAVERSTICK, Kraig L.; US
LEPPO, Shawn K.; US
O'BRIAN, K. Scott; US
OLTMANS, Andrew L.; US
Données relatives à la priorité :
62/553,51101.09.2017US
Titre (EN) POLAR NANOREGIONS ENGINEERED RELAXOR-PbTiO3 FERROELECTRIC CRYSTALS
(FR) CRISTAUX FERROÉLECTRIQUES FORMÉS D'UN COMPLEXE RELAXEUR-PBTIO3 MODIFIÉS PAR DES NANORÉGIONS POLAIRES
Abrégé :
(EN) A relaxor-PT based piezoelectric crystal is disclosed, comprising the general formula of (Pb1-1.5xMx){[(MI,MII)1-z(MI',MII')z]1-yTiy}O3, wherein: M is a rare earth cation; MI is selected from the group consisting of Mg2+, Zn2+, Yb3+, Sc3+, and In3+; MII is Nb5+; MI' is selected from the group consisting of Mg2+, Zn2+, Yb3+, Sc3+, In3+, and Zr4; MII' is Nb5+ or Zr4+; 0 < x ≤ 0.05; 0.02 < y < 0.7; and 0 ≤ z ≤ 1, provided that if either MI' or MII' is Zr4+, both MI' and MII' are Zr4+. A method for forming the relaxor-PT based piezoelectric crystal is disclosed, comprising pre-synthesizing precursor materials by calcining mixed oxides, mixing the precursor materials with single oxides and calcining to form a feeding material, and growing the relaxor-PT based piezoelectric crystal having the general formula of (Pb1-1.5xMx){[(MI,MII)1-z(MI',MII')z]1-yTiy}O3 from the feeding material by a Bridgman method.
(FR) L'invention concerne un cristal piézoélectrique à base d'un complexe relaxeur-PT, présentant la formule générale suivante : (Pb1-1,5xMx){[(MI,MII)1-z(MI',MII')z]1-yTiy}O3, dans laquelle : M représente un cation de terre rare ; MI est choisi dans le groupe constitué de Mg2+, Zn2+, Yb3+, Sc3+ et In3+ ; MII représente Nb5+ ; MI' est choisi dans le groupe constitué de Mg2+, Zn2+, Yb3+, Sc3+, In3+ et Zr4+ ; MII' représente Nb5+ ou Zr4+ ; 0 < x ≤ 0,05 ; 0,02 < y < 0,7 ; et 0 ≤ z ≤1, sous réserve que si MI' ou MII' représente Zr4+, alors MI' et MII' représentent tous deux Zr4+. L'invention concerne également un procédé pour la formation d'un cristal piézoélectrique à base d'un complexe relaxeur-PT, comprenant la pré-synthèse de matériaux précurseurs par calcination d'oxydes mixtes, le mélange des matériaux précurseurs avec des oxydes simples et une calcination pour former un matériau d'alimentation, puis la culture du cristal piézoélectrique à base du complexe relaxeur-PT de formule générale suivante : (Pb1-1,5xMx){[(MI,MII)1-z(MI',MII')z]1-yTiy}O3 à partir du matériau d'alimentation par un procédé Bridgman.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)