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1. (WO2019046548) POLITIQUE DE RETRAIT DE BLOC DE MÉMOIRE FLASH
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N° de publication : WO/2019/046548 N° de la demande internationale : PCT/US2018/048788
Date de publication : 07.03.2019 Date de dépôt international : 30.08.2018
CIB :
G11C 16/34 (2006.01) ,G11C 16/26 (2006.01) ,G11C 29/42 (2006.01) ,G11C 29/52 (2006.01)
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
16
Mémoires mortes programmables effaçables
02
programmables électriquement
06
Circuits auxiliaires, p.ex. pour l'écriture dans la mémoire
34
Détermination de l'état de programmation, p.ex. de la tension de seuil, de la surprogrammation ou de la sousprogrammation, de la rétention
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
16
Mémoires mortes programmables effaçables
02
programmables électriquement
06
Circuits auxiliaires, p.ex. pour l'écriture dans la mémoire
26
Circuits de détection ou de lecture; Circuits de sortie de données
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
29
Vérification du fonctionnement correct des mémoires; Test de mémoires lors d'opération en mode de veille ou hors-ligne
04
Détection ou localisation d'éléments d'emmagasinage défectueux
08
Test fonctionnel, p.ex. test lors d'un rafraîchissement, auto-test à la mise sous tension (POST) ou test réparti
12
Dispositions intégrées pour les tests, p.ex. auto-test intégré (BIST)
38
Dispositifs de vérification de réponse
42
utilisant des codes correcteurs d'erreurs (ECC) ou un contrôle de parité
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
29
Vérification du fonctionnement correct des mémoires; Test de mémoires lors d'opération en mode de veille ou hors-ligne
52
Protection du contenu des mémoires; Détection d'erreurs dans le contenu des mémoires
Déposants :
SINGIDI, Harish Reddy [IN/US]; US
CARIELLO, Giuseppe [IT/US]; US
HE, Deping [CN/US]; US
STOLLER, Scott Anthony [US/US]; US
BATUTIS, Devin [US/US]; US
THOMSON, Preston [US/US]; US
HUANG, Jianmin [US/US]; US
TANPAIROJ, Kulachet [US/US]; US
ZHANG, John [CN/CN]; CN
LUO, Xiangang [CN/US]; US
LUO, Ting [CN/US]; US
Inventeurs :
SINGIDI, Harish Reddy; US
CARIELLO, Giuseppe; US
HE, Deping; US
STOLLER, Scott Anthony; US
BATUTIS, Devin; US
THOMSON, Preston; US
Mandataire :
PERDOK, Monique M.; US
ARORA, Suneel; US
BEEKMAN, Marvin L.; US
BLACK, David W.; US
SCHEER, Bradley W.; US
Données relatives à la priorité :
15/690,90330.08.2017US
Titre (EN) FLASH MEMORY BLOCK RETIREMENT POLICY
(FR) POLITIQUE DE RETRAIT DE BLOC DE MÉMOIRE FLASH
Abrégé :
(EN) Devices and techniques for a flash memory block retirement policy are disclosed herein. In an example embodiment, a first memory block is removed from service in response to encountering a read error in the first memory block that exceeds a first error threshold. Recoverable data is copied from the first memory block to a second memory block. During each of multiple iterations, the first memory block is erased and programmed, and each page of the first memory block is read. In response to none of the pages exhibiting a read error that exceeds a second error threshold during the multiple iterations, the first memory block is returned to service.
(FR) L'invention concerne des dispositifs et des techniques pour une politique de retrait de bloc de mémoire flash. Dans un mode de réalisation donné à titre d'exemple, un premier bloc de mémoire est retiré du service en réponse à la rencontre d'une erreur de lecture dans le premier bloc de mémoire qui dépasse un premier seuil d'erreur. Des données récupérables sont copiées du premier bloc de mémoire à un second bloc de mémoire. Durant chacune d'itérations multiples, le premier bloc de mémoire est effacé et programmé, et chaque page du premier bloc de mémoire est lue. En réponse au fait qu'aucune des pages ne comporte d'erreur de lecture dépassant un second seuil d'erreur pendant les itérations multiples, le premier bloc de mémoire est remis en service.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)