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1. (WO2019046417) SOURCE DE RAYONS X LUMINEUSE ET PROPRE POUR MÉTROLOGIE À BASE DE RAYONS X
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N° de publication : WO/2019/046417 N° de la demande internationale : PCT/US2018/048530
Date de publication : 07.03.2019 Date de dépôt international : 29.08.2018
CIB :
H05G 2/00 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
05
TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
G
TECHNIQUE DES RAYONS X
2
Appareils ou procédés spécialement adaptés à la production de rayons X, n'utilisant pas de tubes à rayons X, p.ex. utilisant la génération d'un plasma
Déposants :
KLA-TENCOR CORPORATION [US/US]; Legal Department One Technology Drive Milpitas, California 95035, US
Inventeurs :
KHODYKIN, Oleg; US
Mandataire :
MCANDREWS, Kevin; US
MORRIS, Elizabeth M. N.; US
Données relatives à la priorité :
16/112,76226.08.2018US
62/551,78530.08.2017US
Titre (EN) BRIGHT AND CLEAN X-RAY SOURCE FOR X-RAY BASED METROLOGY
(FR) SOURCE DE RAYONS X LUMINEUSE ET PROPRE POUR MÉTROLOGIE À BASE DE RAYONS X
Abrégé :
(EN) Methods and systems for x-ray based semiconductor metrology utilizing a clean, hard X-ray illumination source are described herein. More specifically, a laser produced plasma light source generates high brightness, hard x-ray illumination having energy in a range of 25,000 to 30,000 electron volts. To achieve high brightness, a highly focused, very short duration laser beam is focused onto a dense Xenon target in a liquid or solid state. The interaction of the focused laser pulse with the high density Xenon target ignites a plasma. Radiation from the plasma is collected by collection optics and is directed to a specimen under measurement. The resulting plasma emission is relatively clean because of the use of a non-metallic target material. The plasma chamber is filled with Xenon gas to further protect optical elements from contamination. In some embodiments, evaporated Xenon from the plasma chamber is recycled back to the Xenon target generator.
(FR) La présente invention concerne des procédés et des systèmes de métrologie à semi-conducteur à base de rayons X utilisant une source d'éclairage à rayons X propres et durs. Plus spécifiquement, une source de lumière à plasma produite par laser génère une luminosité élevée, une illumination par rayons X durs, à luminosité élevée, ayant une énergie dans une plage de 25 000 à 30 000 électrons-volts. Afin d'obtenir une luminosité élevée, un faisceau laser très focalisé de très courte durée est focalisé sur une cible au xénon dense à l'état liquide ou solide. L'interaction de l'impulsion laser focalisée avec la cible au xénon haute densité allume un plasma. Le rayonnement provenant du plasma est collecté par un optique de collecte et est dirigé vers un spécimen soumis à mesure. L'émission plasma résultante est relativement propre grâce à l'utilisation d'un matériau cible non métallique. La chambre à plasma est remplie de gaz de xénon pour mieux protéger les éléments optiques contre la contamination. Dans certains modes de réalisation, le xénon évaporé depuis la chambre à plasma est recyclé vers le générateur de cible au xénon.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)