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1. (WO2019046386) GESTION DE CACHE SLC
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N° de publication : WO/2019/046386 N° de la demande internationale : PCT/US2018/048477
Date de publication : 07.03.2019 Date de dépôt international : 29.08.2018
CIB :
G06F 12/0868 (2016.01) ,G06F 13/42 (2006.01)
[IPC code unknown for G06F 12/0868]
G PHYSIQUE
06
CALCUL; COMPTAGE
F
TRAITEMENT ÉLECTRIQUE DE DONNÉES NUMÉRIQUES
13
Interconnexion ou transfert d'information ou d'autres signaux entre mémoires, dispositifs d'entrée/sortie ou unités de traitement
38
Transfert d'informations, p.ex. sur un bus
42
Protocole de transfert pour bus, p.ex. liaison; Synchronisation
Déposants :
TANPAIROJ, Kulachet [US/US]; US
HUANG, Jianmin [US/US]; US
MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 8000 So. Federal Way Boise, Idaho 83716-9632, US
Inventeurs :
TANPAIROJ, Kulachet; US
HUANG, Jianmin; US
JEAN, Sebastien Andre; US
MUCHHERLA, Kishore Kumar; US
MALSHE, Ashutosh; US
Mandataire :
PERDOK, Monique M.; US
ARORA, Suneel; US
BEEKMAN, Marvin L.; US
BLACK, David W.; US
SCHEER, Bradley W.; US
Données relatives à la priorité :
15/690,86930.08.2017US
Titre (EN) SLC CACHE MANAGEMENT
(FR) GESTION DE CACHE SLC
Abrégé :
(EN) Disclosed in some examples are memory devices which feature customizable Single Level Cell (SLC) and Multiple Level Cell (MLC) configurations. The SLC memory cells serve as a high-speed cache providing SLC level performance with the storage capacity of a memory device with MLC memory cells. The proportion of cells configured as MLC vs the proportion that are configured as SLC storage may be configurable, and in some examples, the proportion may change during usage based upon configurable rules based upon memory device metrics. In some examples, when the device activity is below an activity threshold, the memory device may skip the SLC cache and place the data directly into the MLC storage to reduce power consumption.
(FR) La présente invention concerne, selon plusieurs modes de réalisation exemplaires, des dispositifs de mémoire comprenant des configurations de cellule à un seul niveau (SLC) et de cellules à plusieurs niveaux (MLC) personnalisables. Les cellules de mémoire SLC servent de mémoire cache à grande vitesse pour des performances de niveau SLC avec la capacité de stockage d'un dispositif de mémoire équipé de cellules de mémoire MLC. Il est possible de configurer la proportion de cellules configurées comme MLC et la proportion de cellules configurées en tant que mémoire SLC et, dans certains modes de réalisation exemplaires, la proportion peut changer pendant l'utilisation sur la base de règles configurables en fonction de mesures des dispositifs de mémoire. Dans certains modes de réalisation exemplaires, lorsque l'activité du dispositif est inférieure à un seuil d'activité, le dispositif de mémoire peut sauter le cache SLC et placer les données directement dans le stockage MLC afin de réduire la consommation d'énergie.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)