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1. (WO2019046189) TECHNOLOGIE DE COMMANDE DE GRILLE DE MÉMOIRE POUR CELLULES DE MÉMOIRE FLASH
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N° de publication : WO/2019/046189 N° de la demande internationale : PCT/US2018/048138
Date de publication : 07.03.2019 Date de dépôt international : 27.08.2018
CIB :
G11C 16/12 (2006.01) ,G11C 16/14 (2006.01) ,H01L 27/11563 (2017.01)
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
16
Mémoires mortes programmables effaçables
02
programmables électriquement
06
Circuits auxiliaires, p.ex. pour l'écriture dans la mémoire
10
Circuits de programmation ou d'entrée de données
12
Circuits de commutation de la tension de programmation
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
16
Mémoires mortes programmables effaçables
02
programmables électriquement
06
Circuits auxiliaires, p.ex. pour l'écriture dans la mémoire
10
Circuits de programmation ou d'entrée de données
14
Circuits pour effacer électriquement, p.ex. circuits de commutation de la tension d'effacement
[IPC code unknown for ERROR Code IPC incorrect: sous-groupe non valide (0=>999999)!]
Déposants :
CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION [US/US]; 198 Champion Court San Jose, California 95134, US
Inventeurs :
VARKONY, Roni; IL
BETSER, Yoram; IL
Mandataire :
DRAGANOFF, Stoycho; US
Données relatives à la priorité :
15/925,51019.03.2018US
62/551,94730.08.2017US
Titre (EN) MEMORY GATE DRIVER TECHNOLOGY FOR FLASH MEMORY CELLS
(FR) TECHNOLOGIE DE COMMANDE DE GRILLE DE MÉMOIRE POUR CELLULES DE MÉMOIRE FLASH
Abrégé :
(EN) A memory array including a first memory cell including a first memory gate coupled to receive a first signal. The memory array including a second memory cell including a first memory gate coupled to receive a second signal. The magnitude of the second signal is different than the magnitude of the first signal. The memory array including a third memory cell including a first memory gate coupled to receive a third signal. The magnitude of the third signal is different than the magnitude of the first signal and the magnitude of the second signal. The first signal, the second signal and the third signal are received concurrently.
(FR) L'invention concerne un réseau de mémoire qui comprend une première cellule de mémoire comprenant une première grille de mémoire couplée afin de recevoir un premier signal. Le réseau de mémoire comprend une seconde cellule de mémoire comprenant une première grille de mémoire couplée afin de recevoir un second signal. L'amplitude du second signal est différente de l'amplitude du premier signal. Le réseau de mémoire comprend une troisième cellule de mémoire comprenant une première grille de mémoire couplée afin de recevoir un troisième signal. L'amplitude du troisième signal est différente de l'amplitude du premier signal et de l'amplitude du second signal. Le premier signal, le second signal et le troisième signal sont reçus simultanément.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)