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1. (WO2019046148) COMPOSITIONS DE PHOTORÉSINE CONTENANT DES MONOMÈRES À DÉCLENCHEMENT MULTIPLE ET PROCÉDÉ ASSOCIÉ
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N° de publication : WO/2019/046148 N° de la demande internationale : PCT/US2018/048056
Date de publication : 07.03.2019 Date de dépôt international : 27.08.2018
CIB :
G03F 7/004 (2006.01)
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
004
Matériaux photosensibles
04
Chromates
Déposants :
ROBINSON, Alex, Phillip Graham [GB/GB]; GB
MCCLELLAND, Alexandra [GB/GB]; GB
FROMMHOLD, Andreas [DE/DE]; DE
YANG, Dongxu [CN/GB]; GB
ROTH, John, L. [US/US]; US
URE, David [GB/US]; US
Inventeurs :
ROBINSON, Alex, Phillip Graham; GB
MCCLELLAND, Alexandra; GB
FROMMHOLD, Andreas; DE
YANG, Dongxu; GB
ROTH, John, L.; US
URE, David; US
Mandataire :
SHELNUT, James; US
Données relatives à la priorité :
15/687,44926.08.2017US
Titre (EN) MULTIPLE TRIGGER MONOMER CONTAINING PHOTORESIST COMPOSITIONS AND METHOD
(FR) COMPOSITIONS DE PHOTORÉSINE CONTENANT DES MONOMÈRES À DÉCLENCHEMENT MULTIPLE ET PROCÉDÉ ASSOCIÉ
Abrégé :
(EN) The present disclosure relates to novel multiple trigger monomer containing negative working photoresist compositions and processes. The processes involve removing acid-labile protecting groups from crosslinking functionalities in a first step and crosslinking the crosslinking functionality with an acid sensitive crosslinker in a second step. The incorporation of a multiple trigger pathway in the resist catalytic chain increases the chemical gradient in areas receiving a low dose of irradiation, effectively acting as a built in dose depend quencher- analog and thus enhancing chemical gradient and thus resolution, resolution blur and exposure latitude. The photoresist compositions utilize novel monomers and mixtures of novel monomers. The methods are ideal for fine pattern processing using, for example, ultraviolet radiation, beyond extreme ultraviolet radiation, extreme ultraviolet radiation, X-rays and charged particle rays.
(FR) La présente invention concerne des procédés et des compositions de photorésine négative contenant des monomères novateurs à déclenchement multiple. Les procédés consistent à éliminer des groupes protecteurs labiles acides de fonctionnalités de réticulation dans une première étape et à réticuler la fonctionnalité de réticulation avec un agent de réticulation sensible à l'acide dans une seconde étape. L'incorporation d'une voie à déclenchement multiple dans la chaîne catalytique de la photorésine accroît le gradient chimique dans les zones recevant une faible dose de rayons, agissant ainsi efficacement en tant qu’analogue d'extinction dépendant de la dose intégré et améliorant ainsi le gradient chimique et donc, la résolution, le flou de résolution et la latitude d'exposition. Les compositions de photorésine utilisent des monomères novateurs et des mélanges de monomères novateurs. Les procédés sont idéaux pour le traitement de motifs fins, par exemple à l'aide de rayons ultraviolets, de rayons ultraviolets extrêmes, de rayons au-delà de l'ultraviolet extrême, de rayons X et de rayons de particules chargées.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)