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1. (WO2019046106) DISPOSITIFS ET SYSTÈMES AVEC PILOTES DE CHAÎNE COMPRENANT UN MATÉRIAU À BANDE INTERDITE ÉLEVÉE ET PROCÉDÉS DE FORMATION
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N° de publication : WO/2019/046106 N° de la demande internationale : PCT/US2018/047809
Date de publication : 07.03.2019 Date de dépôt international : 23.08.2018
CIB :
H01L 27/115 (2006.01) ,H01L 29/66 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04
le substrat étant un corps semi-conducteur
10
comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive
105
comprenant des composants à effet de champ
112
Structures de mémoires mortes
115
Mémoires mortes programmables électriquement
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
Déposants :
MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 8000 South Federal Way Mailstop 1-507 Boise, Idaho 83707, US
Inventeurs :
LIU, Haitao; US
HUANG, Guangyu; US
MOULI, Chandra, V.; US
GODA, Akira; US
PANDEY, Deepak, Chandra; US
KARDA, Kamal, M.; US
Mandataire :
SCHIERMAN, Elizabeth, Herbst; US
BACA, Andrew J.; US
ZIEGLER, Bailey M.; US
BEZDJIAN, Daniel J.; US
BAKER, Gregory C.; US
FLORES, Jesse M.; US
GUNN, J. Jeffrey; US
GUTKE, Steven W.; US
HAMER, Katherine A.; US
WALKOWSKI, Joseph A.; US
WATSON, James C.; US
WHITLOCK, Nathan E.; US
WOODHOUSE, Kyle M.; US
Données relatives à la priorité :
16/110,21723.08.2018US
62/551,35329.08.2017US
Titre (EN) DEVICES AND SYSTEMS WITH STRING DRIVERS INCLUDING HIGH BAND GAP MATERIAL AND METHODS OF FORMATION
(FR) DISPOSITIFS ET SYSTÈMES AVEC PILOTES DE CHAÎNE COMPRENANT UN MATÉRIAU À BANDE INTERDITE ÉLEVÉE ET PROCÉDÉS DE FORMATION
Abrégé :
(EN) A device includes a string driver comprising a channel region between a drain region and a source region. At least one of the channel region, the drain region, and the source region comprises a high band gap material. A gate region is adjacent and spaced from the high band gap material. The string driver is configured for high-voltage operation in association with an array of charge storage devices (e.g., 2D NAND or 3D NAND). Additional devices and systems (e.g., non-volatile memory systems) including the string drivers are disclosed, as are methods of forming the string drivers.
(FR) La présente invention concerne un dispositif qui comprend un pilote de chaîne comprenant une région de canal entre une région de drain et une région de source. La région de canal et/ou la région de drain et/ou la région de source comprennent un matériau à bande interdite élevée. Une région de grille est adjacente et espacée du matériau à bande interdite élevée. Le pilote de chaîne est configuré pour un fonctionnement à haute tension en association avec un réseau de dispositifs de stockage de charge (par exemple, NAND 2D ou NAND 3D). L'invention concerne également des dispositifs et des systèmes supplémentaires (par exemple., des systèmes de mémoire non volatile) comprenant les pilotes de chaîne, ainsi que des procédés de formation des pilotes de chaîne.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)