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1. (WO2019046084) EFFACEMENT SÉCURISÉ POUR CORRUPTION DE DONNÉES
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N° de publication : WO/2019/046084 N° de la demande internationale : PCT/US2018/047651
Date de publication : 07.03.2019 Date de dépôt international : 23.08.2018
CIB :
G11C 16/22 (2006.01) ,G11C 16/16 (2006.01)
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
16
Mémoires mortes programmables effaçables
02
programmables électriquement
06
Circuits auxiliaires, p.ex. pour l'écriture dans la mémoire
22
Circuits de sécurité ou de protection pour empêcher l'accès non autorisé ou accidentel aux cellules de mémoire
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
16
Mémoires mortes programmables effaçables
02
programmables électriquement
06
Circuits auxiliaires, p.ex. pour l'écriture dans la mémoire
10
Circuits de programmation ou d'entrée de données
14
Circuits pour effacer électriquement, p.ex. circuits de commutation de la tension d'effacement
16
pour effacer des blocs, p.ex. des réseaux, des mots, des groupes
Déposants :
MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 8000 So. Federal Way Boise, Idaho 83716-9632, US
Inventeurs :
LUO, Ting; US
TANPAIROJ, Kulachet; US
SINGIDI, Harish Reddy; US
HUANG, Jianmin; US
THOMSON, Preston; US
JEAN, Sebastien Andre; US
Mandataire :
PERDOK, Monique M.; US
ARORA, Suneel; US
BEEKMAN, Marvin L.; US
BLACK, David W.; US
SCHEER, Bradley W.; US
Données relatives à la priorité :
15/691,58430.08.2017US
Titre (EN) SECURE ERASE FOR DATA CORRUPTION
(FR) EFFACEMENT SÉCURISÉ POUR CORRUPTION DE DONNÉES
Abrégé :
(EN) Disclosed in some examples are systems, methods, memory devices, and machine readable mediums for a fast secure data destruction for NAND memory devices that renders data in a memory cell unreadable. Instead of going through all the erase phases, the memory device may remove sensitive data by performing only the pre-programming phase of the erase process. Thus, the NAND doesn't perform the second and third phases of the erase process. This is much faster and results in data that cannot be reconstructed. In some examples, because the erase pulse is not actually applied and because this is simply a programming operation, data may be rendered unreadable at a per-page level rather than a per-block level as in traditional erases.
(FR) Dans certains exemples, l'invention concerne des systèmes, des procédés, des dispositifs de mémoire et des supports lisibles par machine pour une destruction de données sécurisée rapide pour des dispositifs de mémoire NON-ET rendant des données dans une cellule de mémoire illisibles. Au lieu de traverser toutes les phases d'effacement, le dispositif de mémoire peut éliminer des données sensibles en n'effectuant que la phase de pré-programmation du processus d'effacement. Ainsi, le dispositif de mémoire NON-ET n'effectue pas les seconde et troisième phases du processus d'effacement. Ceci est beaucoup plus rapide et se traduit par des données qui ne peuvent pas être reconstruites. Dans certains exemples, étant donné que l'impulsion d'effacement n'est pas réellement appliquée et parce qu'il s'agit simplement d'une opération de programmation, des données peuvent être rendues illisibles par page plutôt que par bloc comme dans des effacements classiques.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)