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1. (WO2019046050) OPÉRATION DE LECTURE DE RÉINITIALISATION DE RÉSEAU DE MÉMOIRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau internationalFormuler une observation

N° de publication : WO/2019/046050 N° de la demande internationale : PCT/US2018/047359
Date de publication : 07.03.2019 Date de dépôt international : 21.08.2018
CIB :
G11C 16/20 (2006.01) ,G11C 16/26 (2006.01) ,G11C 16/04 (2006.01) ,G06F 12/02 (2006.01)
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
16
Mémoires mortes programmables effaçables
02
programmables électriquement
06
Circuits auxiliaires, p.ex. pour l'écriture dans la mémoire
10
Circuits de programmation ou d'entrée de données
20
Initialisation; Présélection de données; Identification de puces
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
16
Mémoires mortes programmables effaçables
02
programmables électriquement
06
Circuits auxiliaires, p.ex. pour l'écriture dans la mémoire
26
Circuits de détection ou de lecture; Circuits de sortie de données
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
16
Mémoires mortes programmables effaçables
02
programmables électriquement
04
utilisant des transistors à seuil variable, p.ex. FAMOS
G PHYSIQUE
06
CALCUL; COMPTAGE
F
TRAITEMENT ÉLECTRIQUE DE DONNÉES NUMÉRIQUES
12
Accès, adressage ou affectation dans des systèmes ou des architectures de mémoire
02
Adressage ou affectation; Réadressage
Déposants :
MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 8000 S. Federal Way Boise, Idaho 83716-9632, US
Inventeurs :
BINFET, Jeremy; US
HELM, Mark; US
FILIPIAK, William; US
HAWES, Mark; US
Mandataire :
HARRIS, Philip W.; US
Données relatives à la priorité :
15/688,64528.08.2017US
Titre (EN) MEMORY ARRAY RESET READ OPERATION
(FR) OPÉRATION DE LECTURE DE RÉINITIALISATION DE RÉSEAU DE MÉMOIRE
Abrégé :
(EN) Systems, devices, and methods related to reset read are described. A reset read may be employed to initiate a transition of a portion of memory array into a first state or maintain a portion of memory array in a first state, such as a transient state. A reset read may provide a highly-parallelized, energy-efficient option to ensure memory blocks are in the first state. Various modes of reset read may be configured according to different input.
(FR) L'invention concerne des systèmes, des dispositifs et des procédés se rapportant à une lecture de réinitialisation. Une lecture de réinitialisation peut être utilisée pour initier une transition d'une partie du réseau de mémoire dans un premier état ou pour maintenir une partie du réseau de mémoire dans un premier état, tel qu'un état transitoire. Une lecture de réinitialisation peut fournir une option hautement parallélisée et économe en énergie pour garantir que des blocs de mémoire sont dans le premier état. Divers modes de lecture de réinitialisation peuvent être configurés selon différentes entrées.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)