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1. (WO2019046038) SÉCURITÉ PRIORISÉE
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N° de publication : WO/2019/046038 N° de la demande internationale : PCT/US2018/047203
Date de publication : 07.03.2019 Date de dépôt international : 21.08.2018
CIB :
G06F 21/79 (2013.01)
G PHYSIQUE
06
CALCUL; COMPTAGE
F
TRAITEMENT ÉLECTRIQUE DE DONNÉES NUMÉRIQUES
21
Dispositions de sécurité pour protéger les calculateurs, leurs composants, les programmes ou les données contre une activité non autorisée
70
Protection de composants spécifiques internes ou périphériques, où la protection d'un composant mène à la protection de tout le calculateur
78
pour assurer la sécurité du stockage de données
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dans les supports de stockage à semi-conducteurs, p.ex. les mémoires adressables directement
Déposants :
MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 8000 So. Federal Way Boise, Idaho 83716-9632, US
Inventeurs :
JEAN, Sebastien Andre; US
Mandataire :
PERDOK, Monique M.; US
ARORA, Suneel; US
BEEKMAN, Marvin L.; US
BLACK, David W.; US
SCHEER, Bradley W.; US
Données relatives à la priorité :
15/692,29931.08.2017US
Titre (EN) PRIORITIZED SECURITY
(FR) SÉCURITÉ PRIORISÉE
Abrégé :
(EN) Disclosed in some examples are systems, methods, memory devices, and machine readable mediums for a fast secure data destruction for NAND memory devices that renders data in a memory cell unreadable. Instead of going through all the erase phases, the memory device may remove sensitive data by performing only the pre-programming phase of the erase process. Thus, the NAND doesn't perform the second and third phases of the erase process. This is much faster and results in data that cannot be reconstructed. In some examples, because the erase pulse is not actually applied and because this is simply a programming operation, data may be rendered unreadable at a per-page level rather than a per-block level as in traditional erases.
(FR) L'invention concerne, selon certains exemples, des systèmes, des procédés, des dispositifs de mémoire et des supports lisibles par machine permettant une destruction de données sécurisée rapide pour des dispositifs de mémoire NON-ET, afin de rendre illisibles des données dans une cellule de mémoire. Au lieu de passer par toutes les phases d'effacement, le dispositif de mémoire peut éliminer des données sensibles en effectuant uniquement la phase de pré-programmation du processus d'effacement. Ainsi, le NON-ET n'effectue pas les deuxième et troisième phases du processus d'effacement. Ceci est beaucoup plus rapide et donne lieu à des données qui ne peuvent pas être reconstruites. Dans certains exemples, étant donné que l'impulsion d'effacement n'est pas réellement appliquée et parce qu'il s'agit simplement d'une opération de programmation, des données peuvent être rendues illisibles au niveau de chaque page plutôt qu'au niveau de chaque bloc comme dans les effacements classiques.
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Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)