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1. (WO2019046033) CIRCUIT D'ATTAQUE DE GRILLE À HAUTE TEMPÉRATURE POUR TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP MÉTAL-OXYDE-SEMI-CONDUCTEUR EN CARBURE DE SILICIUM
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N° de publication : WO/2019/046033 N° de la demande internationale : PCT/US2018/047178
Date de publication : 07.03.2019 Date de dépôt international : 21.08.2018
CIB :
H03K 17/082 (2006.01) ,H03K 17/14 (2006.01) ,H03K 17/687 (2006.01) ,H03K 17/691 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
K
TECHNIQUE DE L'IMPULSION
17
Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts
08
Modifications pour protéger le circuit de commutation contre la surintensité ou la surtension
082
par réaction du circuit de sortie vers le circuit de commande
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
K
TECHNIQUE DE L'IMPULSION
17
Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts
14
Modifications pour compenser les variations de valeurs physiques, p.ex. de la température
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
K
TECHNIQUE DE L'IMPULSION
17
Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts
51
caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés
56
par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs
687
les dispositifs étant des transistors à effet de champ
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
K
TECHNIQUE DE L'IMPULSION
17
Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts
51
caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés
56
par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs
687
les dispositifs étant des transistors à effet de champ
689
avec une isolation galvanique entre le circuit de commande et le circuit de sortie
691
utilisant un couplage par transformateur
Déposants :
UNIVERSITY OF HOUSTON SYSTEM [US/US]; 4800 Calhoun Road Houston, TX 77004, US
Inventeurs :
RAJASHEKARA, Kaushik; US
NAYAK, Parthasarathy; US
PRAMANICK, Sumit, Kumar; US
Mandataire :
BORRELLI, Sara, K.; US
DIETRICH, Blake, T.; US
ROURK, Christopher, J.; US
Données relatives à la priorité :
62/551,98230.08.2017US
Titre (EN) HIGH TEMPERATURE GATE DRIVER FOR SILICON CARBIDE METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR FIELD-EFFECT TRANSISTOR
(FR) CIRCUIT D'ATTAQUE DE GRILLE À HAUTE TEMPÉRATURE POUR TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP MÉTAL-OXYDE-SEMI-CONDUCTEUR EN CARBURE DE SILICIUM
Abrégé :
(EN) A high temperature (HT) gate driver for Silicon Carbide metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (SiC MOSFET) uses commercial off-the-shelf COTS discrete components, and has an integrated short-circuit or overcurrent protection circuit and under voltage lock out (UVLO) protection circuit.
(FR) L’invention concerne un circuit d'attaque de grille à haute température (HT) pour transistor à effet de champ métal-oxyde-semi-conducteur en carbure de silicium (MOSFET SiC) qui utilise des composants distincts de type produits commerciaux (Commercial-off-the-shelf, « COTS »), et qui possède un circuit de protection contre les court-circuits ou les surintensités et un circuit de protection contre les verrouillages de sous-tensions (UVLO) intégrés.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)