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1. (WO2019046032) TRAITEMENT EN MÉMOIRE
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N° de publication : WO/2019/046032 N° de la demande internationale : PCT/US2018/047172
Date de publication : 07.03.2019 Date de dépôt international : 21.08.2018
CIB :
G06F 13/16 (2006.01) ,G06F 3/06 (2006.01) ,G11C 7/06 (2006.01) ,G11C 7/22 (2006.01) ,G11C 11/4091 (2006.01) ,G11C 11/4076 (2006.01)
G PHYSIQUE
06
CALCUL; COMPTAGE
F
TRAITEMENT ÉLECTRIQUE DE DONNÉES NUMÉRIQUES
13
Interconnexion ou transfert d'information ou d'autres signaux entre mémoires, dispositifs d'entrée/sortie ou unités de traitement
14
Traitement de demandes d'interconnexion ou de transfert
16
pour l'accès au bus de mémoire
G PHYSIQUE
06
CALCUL; COMPTAGE
F
TRAITEMENT ÉLECTRIQUE DE DONNÉES NUMÉRIQUES
3
Dispositions d'entrée pour le transfert de données à traiter pour leur donner une forme utilisable par le calculateur; Dispositions de sortie pour le transfert de données de l'unité de traitement à l'unité de sortie, p.ex. dispositions d'interface
06
Entrée numérique à partir de, ou sortie numérique vers des supports d'enregistrement
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
7
Dispositions pour écrire une information ou pour lire une information dans une mémoire numérique
06
Amplificateurs de lecture; Circuits associés
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
7
Dispositions pour écrire une information ou pour lire une information dans une mémoire numérique
22
Circuits de synchronisation ou d'horloge pour la lecture-écriture (R-W); Générateurs ou gestion de signaux de commande pour la lecture-écriture (R-W)
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
11
Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants
21
utilisant des éléments électriques
34
utilisant des dispositifs à semi-conducteurs
40
utilisant des transistors
401
formant des cellules nécessitant un rafraîchissement ou une régénération de la charge, c. à d. cellules dynamiques
4063
Circuits auxiliaires, p.ex. pour l'adressage, le décodage, la commande, l'écriture, la lecture ou la synchronisation
407
pour des cellules de mémoire du type à effet de champ
409
Circuits de lecture-écriture (R-W)
4091
Amplificateurs de lecture ou de lecture/rafraîchissement, ou circuits de lecture associés, p.ex. pour la précharge, la compensation ou l'isolation des lignes de bits couplées
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
11
Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants
21
utilisant des éléments électriques
34
utilisant des dispositifs à semi-conducteurs
40
utilisant des transistors
401
formant des cellules nécessitant un rafraîchissement ou une régénération de la charge, c. à d. cellules dynamiques
4063
Circuits auxiliaires, p.ex. pour l'adressage, le décodage, la commande, l'écriture, la lecture ou la synchronisation
407
pour des cellules de mémoire du type à effet de champ
4076
Circuits de synchronisation
Déposants :
MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; Mail Stop 525 8000 South Federal Way P.O. Box 6 Boise, Idaho 83707-0006, US
Inventeurs :
LEA, Perry V.; US
FINKBEINER, Timothy P.; US
Mandataire :
KERN, Jacob T.; US
Données relatives à la priorité :
15/693,37831.08.2017US
Titre (EN) PROCESSING IN MEMORY
(FR) TRAITEMENT EN MÉMOIRE
Abrégé :
(EN) Apparatuses and methods are provided for processing in memory. An example apparatus comprises a host and a processing in memory (PIM) capable device coupled to the host via an interface comprising a sideband channel. The PIM capable device comprises an array of memory cells coupled to sensing circuitry and is configured to perform bit vector operations on data stored in the array, and the host comprises a PIM control component to perform virtual address resolution for PIM operations prior to providing a number of corresponding bit vector operations to the PIM capable device via the sideband channel.
(FR) L'invention concerne des appareils et des procédés permettant le traitement en mémoire. Un appareil donné à titre d'exemple comprend un hôte et un dispositif prenant en charge le traitement en mémoire (PIM) couplé à l'hôte par l'intermédiaire d'une interface comprenant un canal de bande latérale. Le dispositif prenant en charge le PIM comprend un réseau de cellules de mémoire couplées à des circuits de détection et est configuré pour effectuer des opérations de vecteur de bits sur des données stockées dans le réseau, et l'hôte comprend un composant de commande PIM pour effectuer une résolution d'adresse virtuelle pour des opérations de PIM avant de fournir un certain nombre d'opérations de vecteur de bits correspondantes au dispositif prenant en charge le PIM par l'intermédiaire du canal de bande latérale.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)