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1. (WO2019046030) RÉSEAUX DE MÉMOIRE TRIDIMENSIONNELS
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N° de publication : WO/2019/046030 N° de la demande internationale : PCT/US2018/047143
Date de publication : 07.03.2019 Date de dépôt international : 21.08.2018
CIB :
H01L 27/06 (2006.01) ,H01L 25/065 (2006.01) ,H01L 45/00 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04
le substrat étant un corps semi-conducteur
06
comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
03
les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes H01L27/-H01L51/132
04
les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
065
les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe H01L27/81
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
45
Dispositifs à l'état solide spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la production d'oscillations ou la commutation, sans barrière de potentiel ni barrière de surface, p.ex. triodes diélectriques; Dispositifs à effet Ovshinsky; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
Déposants :
MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; MAIL STOP 525 8000 SOUTH FEDERAL WAY P.O. BOX 6 BOISE, Idaho 83707-0006, US
Inventeurs :
PIROVANO, Agostino; IT
REDAELLI, Andrea; IT
PELLIZZER, Fabio; US
TORTORELLI, Innocenzo; IT
Mandataire :
KERN, Jacob T.; US
Données relatives à la priorité :
15/689,15529.08.2017US
Titre (EN) THREE DIMENSIONAL MEMORY ARRAYS
(FR) RÉSEAUX DE MÉMOIRE TRIDIMENSIONNELS
Abrégé :
(EN) In an example, a memory array may include a plurality of first dielectric materials and a plurality of stacks, where each respective first dielectric material and each respective stack alternate, and where each respective stack comprises a first conductive material and a storage material. A second conductive material may pass through the plurality of first dielectric materials and the plurality of stacks. Each respective stack may further include a second dielectric material between the first conductive material and the second conductive material.
(FR) Un exemple de l'invention concerne un réseau de mémoire qui peut comprendre une pluralité de premiers matériaux diélectriques et une pluralité d'empilements, chaque premier matériau diélectrique respectif et chaque empilement respectif étant alternés, et chaque empilement respectif comprenant un premier matériau conducteur et un matériau de stockage. Un deuxième matériau conducteur peut passer à travers la pluralité de premiers matériaux diélectriques et la pluralité d'empilements. Chaque empilement respectif peut en outre comprendre un deuxième matériau diélectrique entre le premier matériau conducteur et le deuxième matériau conducteur.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)