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1. (WO2019046029) CIRCUIT DE DÉCODAGE COUPLÉE À UN RÉSEAU DE MÉMOIRE
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N° de publication : WO/2019/046029 N° de la demande internationale : PCT/US2018/047134
Date de publication : 07.03.2019 Date de dépôt international : 21.08.2018
CIB :
G11C 13/00 (2006.01)
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
13
Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage non couverts par les groupes G11C11/, G11C23/ ou G11C25/197
Déposants :
MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; MAIL STOP 525 8000 SOUTH FEDERAL WAY P.O. BOX 6 BOISE, Idaho 83707-0006, US
Inventeurs :
DODGE, Richard K.; US
LANGTRY, Timothy C.; US
Mandataire :
KERN, Jacob T.; US
Données relatives à la priorité :
15/689,01729.08.2017US
Titre (EN) DECODE CIRCUITRY COUPLED TO A MEMORY ARRAY
(FR) CIRCUIT DE DÉCODAGE COUPLÉE À UN RÉSEAU DE MÉMOIRE
Abrégé :
(EN) In an exmaple, an apparatus includes a memory array separate from a semiconductor, a trigger device separate from the semiconductor and coupled to an access line in the memory array, a select device separate from the semiconductor and coupled to the trigger device and the access line, and decode circuitry in a second region separate from a semiconductor. The decode circuitry is coupled to an access line in the memory array.
(FR) Dans un exemple, un appareil comprend un réseau de mémoire séparé d'un semi-conducteur, un dispositif de déclenchement séparé du semi-conducteur et couplé à une ligne d'accès dans le réseau de mémoire, un dispositif de sélection séparé du semi-conducteur et couplé au dispositif de déclenchement et à la ligne d'accès, et une circuiterie de décodage dans une seconde région séparée d'un semi-conducteur. La circuiterie de décodage est couplée à une ligne d'accès dans le réseau de mémoire.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)