Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2019045990) PROCÉDÉ FMM DESTINÉ À UN FMM À RES ÉLEVÉE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2019/045990 N° de la demande internationale : PCT/US2018/046106
Date de publication : 07.03.2019 Date de dépôt international : 09.08.2018
CIB :
H01L 51/56 (2006.01) ,H01L 51/00 (2006.01) ,H01L 21/02 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51
Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
50
spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)
56
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51
Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
Déposants :
APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs :
HAAS, Dieter; US
Mandataire :
PATTERSON, B. Todd; US
VERSTEEG, Steven H.; US
Données relatives à la priorité :
62/553,95004.09.2017US
Titre (EN) FMM PROCESS FOR HIGH RES FMM
(FR) PROCÉDÉ FMM DESTINÉ À UN FMM À RES ÉLEVÉE
Abrégé :
(EN) Aspects disclosed herein relate to apparatus having a combined common metal mask (CMM) and fine metal mask (FMM) used in the manufacture of organic light emitting diodes (OLEDs) and manufacturing methods thereof. In one aspect, a mask assembly is provided. The mask includes a common metal mask having one or more windows therethrough and at least one fine metal mask disposed within the at least one window. In another aspect, a distortion compensation master is disclosed. The mask includes a plurality of windows formed through the mask, the positions of the windows being located to compensate for any distortion, including positional distortion resulting from gravity. As one example, the windows may be positioned higher at or near the center of the mask and decreasingly lower near the edge of the mask.
(FR) L'invention concerne, selon des aspects, un appareil comportant un masque métallique commun (CMM) et un masque métallique fin (FMM) combinés et utilisé dans la fabrication de diodes électroluminescentes organiques (OLED), et des procédés de fabrication associés. Selon un aspect, l’invention concerne un ensemble masque. Le masque comprend un masque métallique commun comportant une ou plusieurs fenêtres qui le traversent et au moins un masque métallique fin situé à l'intérieur de la ou des fenêtres. Dans un autre aspect, l'invention concerne une matrice de compensation de distorsion. Le masque comprend une pluralité de fenêtres le traversant, les positions des fenêtres étant situées pour compenser toute distorsion, notamment une distorsion de position résultant de la gravité. Dans un exemple, les fenêtres peuvent être positionnées plus haut au centre du masque ou près du centre du masque et de plus en plus bas à proximité du bord du masque.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)