Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2019045927) CONDENSATEUR FERROÉLECTRIQUE, TRANSISTOR FERROÉLECTRIQUE À EFFET DE CHAMP, ET PROCÉDÉ UTILISÉ DANS LA FORMATION D'UN DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE COMPORTANT UN MATÉRIAU CONDUCTEUR ET UN MATÉRIAU FERROÉLECTRIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2019/045927 N° de la demande internationale : PCT/US2018/044344
Date de publication : 07.03.2019 Date de dépôt international : 30.07.2018
CIB :
H01L 27/11514 (2017.01) ,H01L 27/11507 (2017.01)
[IPC code unknown for ERROR Code IPC incorrect: sous-groupe non valide (0=>999999)!][IPC code unknown for ERROR Code IPC incorrect: sous-groupe non valide (0=>999999)!]
Déposants :
MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 8000 South Federal Way Boise, ID 83716, US
Inventeurs :
NAHAR, Manuj; US
CHAVAN, Ashonita A.; US
Mandataire :
MATKIN, Mark S.; US
SHAURETTE, James, D.; US
LATWESEN, David, G.; US
GRZELAK, Keith, D.; US
HENDRICKSEN, Mark, W.; US
Données relatives à la priorité :
15/691,54130.08.2017US
Titre (EN) FERROELECTRIC CAPACITOR, FERROELECTRIC FIELD EFFECT TRANSISTOR, AND METHOD USED IN FORMING AN ELECTRONIC DEVICE COMPRISING CONDUCTIVE MATERIAL AND FERROELECTRIC MATERIAL
(FR) CONDENSATEUR FERROÉLECTRIQUE, TRANSISTOR FERROÉLECTRIQUE À EFFET DE CHAMP, ET PROCÉDÉ UTILISÉ DANS LA FORMATION D'UN DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE COMPORTANT UN MATÉRIAU CONDUCTEUR ET UN MATÉRIAU FERROÉLECTRIQUE
Abrégé :
(EN) A method used in forming an electronic device comprising conductive material and ferroelectric material comprises forming a composite stack comprising multiple metal oxide-comprising insulator materials. At least one of the metal oxide-comprising insulator materials is between and directly against non-ferroelectric insulating materials. The multiple metal oxide-comprising insulator materials are of different composition from that of immediately-adjacent of the non-ferroelectric insulating materials. The composite stack is subjected to a temperature of at least 200° C. After the subjecting, the composite stack comprises multiple ferroelectric metal oxide-comprising insulator materials at least one of which is between and directly against non-ferroelectric insulating materials. After the subjecting, the composite stack is ferroelectric. Conductive material is formed and that is adjacent the composite stack. Devices are also disclosed.
(FR) La présente invention concerne un procédé utilisé dans la formation d'un dispositif électronique comportant un matériau conducteur et un matériau ferroélectrique qui consiste à former un empilement composite comprenant de multiples matériaux isolants comprenant de l'oxyde métallique. Au moins l'un des matériaux isolants comprenant de l'oxyde métallique se trouve entre et directement contre des matériaux isolants non ferroélectriques. Les multiples matériaux isolants comprenant de l'oxyde métallique sont de composition différente de celle des matériaux isolants non ferroélectriques immédiatement adjacents. L'empilement composite est soumis à une température d'au moins 200 °C. Après la soumission, l'empilement composite comprend de multiples matériaux isolants comprenant de l'oxyde métallique ferroélectriques dont au moins un se trouve entre et directement contre des matériaux isolants non ferroélectriques. Après la soumission, l'empilement composite est ferroélectrique. Un matériau conducteur est formé et est adjacent à l'empilement composite. L'invention concerne également des dispositifs.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)