Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2019045892) INTERCONNEXIONS À PAS ET ESPACEMENT FINS AVEC PARTIE D'INTERCONNEXION DE RÉSERVE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2019/045892 N° de la demande internationale : PCT/US2018/042360
Date de publication : 07.03.2019 Date de dépôt international : 17.07.2018
CIB :
H01L 23/498 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
48
Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
488
formées de structures soudées
498
Connexions électriques sur des substrats isolants
Déposants :
QUALCOMM INCORPORATED [US/US]; Attn: International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121-1714, US
Inventeurs :
KANG, Kuiwon; US
JOMAA, Houssam; US
ROUHANA, Layal; US
Mandataire :
GALLARDO, Michelle; US
Données relatives à la priorité :
15/690,54130.08.2017US
Titre (EN) FINE PITCH AND SPACING INTERCONNECTS WITH RESERVE INTERCONNECT PORTION
(FR) INTERCONNEXIONS À PAS ET ESPACEMENT FINS AVEC PARTIE D'INTERCONNEXION DE RÉSERVE
Abrégé :
(EN) Some features pertain to a substrate that includes a first dielectric, a first interconnect, and a second interconnect. The first interconnect is at least partially embedded in the first dielectric layer. The first interconnect includes a first portion and a second portion. The first portion is configured to increase reliability as compared to a substrate having only a second portion of a first interconnect. The increase in reliability due at least in part to the first portion providing additional interconnect material to mitigate interconnect material lost through electromigration. A part of the second portion (of the first interconnect) is free of the first dielectric and may be configured to be coupled to another device.
(FR) Selon certains aspects, cette invention concerne un substrat comprenant une première couche diélectrique, une première interconnexion et une seconde interconnexion. La première interconnexion est au moins partiellement encastrée dans la première couche diélectrique. La première interconnexion comprend une première partie et une seconde partie. La première partie est configurée pour accroître la fiabilité comparativement à un substrat ayant seulement une seconde partie d'une première interconnexion. L'augmentation de la fiabilité due au moins en partie à la première partie fournit un matériau d'interconnexion supplémentaire pour atténuer la perte de matériau d'interconnexion par migration d'électrons. Une partie de la seconde partie (de la première interconnexion) est exempte de la première couche diélectrique et peut être configurée pour être couplée à un autre dispositif.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)