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1. (WO2019045880) PLAQUETTES AYANT DES COUCHES DE NITRURE III ET DE DIAMANT
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N° de publication : WO/2019/045880 N° de la demande internationale : PCT/US2018/041172
Date de publication : 07.03.2019 Date de dépôt international : 08.07.2018
CIB :
H01L 21/02 (2006.01) ,H01L 21/78 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78
avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
Déposants :
RFHIC CORPORATION [US/US]; 920 Morrisville Pkwy Morrisville, North Carolina 27560, US
Inventeurs :
CHO, Sam Yul; US
LEE, Won Sang; US
Mandataire :
PARK, Chung Sik; US
Données relatives à la priorité :
15/693,33331.08.2017US
Titre (EN) WAFERS HAVING III-NITRIDE AND DIAMOND LAYERS
(FR) PLAQUETTES AYANT DES COUCHES DE NITRURE III ET DE DIAMANT
Abrégé :
(EN) Wafers (1309) including a diamond layer (1306) and a semiconductor layer (1310) having III-Nitride compounds and methods for fabricating the wafers (1309) are provided. A first SiC layer (1304) is formed on a silicon substrate (1302), and using a carbon containing gas, a surface of the first SiC layer (1304) is carbonized to form carbon particles on the SiC layer. Then, a diamond layer (1306) is grown on the carbonized surface, where the carbon atoms act as seed particles for growing the diamond layer. A second SiC layer (1308) is formed on the diamond layer (1306) and a semiconductor layer (1310) having III-Nitride compounds is formed on the second SiC layer (1308). Then, the silicon substrate (1302) and the first SiC layer (1304) are removed.
(FR) L'invention concerne des plaquettes (1309) comprenant une couche de diamant (1306) et une couche semi-conductrice (1310) ayant des composés de nitrure III, et des procédés de fabrication des plaquettes (1309). Une première couche de SiC (1304) est formée sur un substrat de silicium (1302), et à l'aide d'un gaz contenant du carbone, une surface de la première couche de SiC (1304) est carbonisée pour former des particules de carbone sur la couche de SiC. Ensuite, une couche de diamant (1306) est développée sur la surface carbonisée, où les atomes de carbone agissent en tant que particules de germe pour faire croître la couche de diamant. Une seconde couche de SiC (1308) est formée sur la couche de diamant (1306), et une couche semi-conductrice (1310) ayant des composés de nitrure III est formée sur la seconde couche de SiC (1308). Ensuite, le substrat de silicium (1302) et la première couche de SiC (1304) sont retirés.
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Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)