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1. (WO2019045873) CRÉATION DE MOTIFS ARBITRAIRES SUR UN RÉSEAU DE VCSEL À GRILLE UNIFORME BIDIMENSIONNELLE
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N° de publication : WO/2019/045873 N° de la demande internationale : PCT/US2018/040531
Date de publication : 07.03.2019 Date de dépôt international : 02.07.2018
CIB :
H01S 5/42 (2006.01) ,H01S 5/183 (2006.01) ,H01S 5/042 (2006.01) ,H01S 5/20 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
S
DISPOSITIFS UTILISANT L'ÉMISSION STIMULÉE
5
Lasers à semi-conducteurs
40
Agencement de plusieurs lasers à semi-conducteurs, non prévu dans les groupes H01S5/02-H01S5/30130
42
Réseaux de lasers à émission de surface
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
S
DISPOSITIFS UTILISANT L'ÉMISSION STIMULÉE
5
Lasers à semi-conducteurs
10
Structure ou forme du résonateur optique
18
Lasers à émission de surface (lasers SE)
183
ayant une cavité verticale (lasers VCSE)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
S
DISPOSITIFS UTILISANT L'ÉMISSION STIMULÉE
5
Lasers à semi-conducteurs
04
Procédés ou appareils pour l'excitation, p.ex. pompage
042
Excitation électrique
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
S
DISPOSITIFS UTILISANT L'ÉMISSION STIMULÉE
5
Lasers à semi-conducteurs
20
Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique
Déposants :
APPLE INC. [US/US]; One Apple Park Way Cupertino, California 95014, US
Inventeurs :
LIN, Chin Han; US
LI, Weiping; US
FAN, Xiaofeng; US
Mandataire :
KLIGLER, Daniel; IL
Données relatives à la priorité :
15/844,66218.12.2017US
62/552,40631.08.2017US
Titre (EN) CREATING ARBITRARY PATTERNS ON A 2-D UNIFORM GRID VCSEL ARRAY
(FR) CRÉATION DE MOTIFS ARBITRAIRES SUR UN RÉSEAU DE VCSEL À GRILLE UNIFORME BIDIMENSIONNELLE
Abrégé :
(EN) An optoelectronic device includes a semiconductor substrate (10) and an array of optoelectronic cells (12), formed on the semiconductor substrate. The cells include first epitaxial layers defining a lower distributed Bragg-reflector (DBR) stack (20); second epitaxial layers formed over the lower DBR stack, defining a quantum well structure (22); third epitaxial layers, formed over the quantum well structure, defining an upper DBR stack (24); and electrodes (30) formed over the upper DBR stack, which are configurable to inject an excitation current into the quantum well structure of each optoelectronic cell. A first set of the optoelectronic cells are configured to emit laser radiation in response to the excitation current. In a second set of the optoelectronic cells (16), interleaved with the first set, at least one element of the optoelectronic cells, selected from among the epitaxial layers and the electrodes, is configured so that the optoelectronic cells in the second set do not emit the laser radiation.
(FR) L'invention concerne un dispositif optoélectronique comprenant un substrat semi-conducteur (10) et un réseau de cellules optoélectroniques (12), formées sur le substrat semi-conducteur. Les cellules comprennent des premières couches épitaxiales définissant un empilement de réflecteurs de Bragg distribués (DBR) inférieur (20) ; des secondes couches épitaxiales formées sur l'empilement DBR inférieur, définissant une structure de puits quantique (22) ; des troisièmes couches épitaxiales, formées sur la structure de puits quantique, définissant un empilement DBR supérieur (24) ; et des électrodes (30) formées sur l'empilement DBR supérieur, qui sont configurables pour injecter un courant d'excitation dans la structure de puits quantique de chaque cellule optoélectronique. Un premier ensemble de cellules optoélectroniques est configuré pour émettre un rayonnement laser en réponse au courant d'excitation. Dans un second ensemble de cellules optoélectroniques (16), entrelacées avec le premier ensemble, au moins un élément des cellules optoélectroniques, choisi parmi les couches épitaxiales et les électrodes, est configuré de telle sorte que les cellules optoélectroniques du second ensemble n'émettent pas le rayonnement laser.
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Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)