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1. (WO2019045806) PROGRAMMATION DE CELLULE DE MÉMOIRE FACTICE POUR RÉDUIRE LA PERTE DE CHARGE DANS UN TRANSISTOR DE GRILLE DE SÉLECTION
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N° de publication : WO/2019/045806 N° de la demande internationale : PCT/US2018/033696
Date de publication : 07.03.2019 Date de dépôt international : 21.05.2018
CIB :
G11C 16/10 (2006.01)
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
16
Mémoires mortes programmables effaçables
02
programmables électriquement
06
Circuits auxiliaires, p.ex. pour l'écriture dans la mémoire
10
Circuits de programmation ou d'entrée de données
Déposants :
SANDISK TECHNOLOGIES LLC [US/US]; 6900 Dallas Parkway, Suite 325 Legacy Town Center Plano, Texas 75024, US
Inventeurs :
DIEP, Vinh; US
LU, Ching-Huang; US
DONG, Yingda; US
Mandataire :
MAGEN, Burt; US
Données relatives à la priorité :
15/693,98201.09.2017US
Titre (EN) PROGRAMMING OF DUMMY MEMORY CELL TO REDUCE CHARGE LOSS IN SELECT GATE TRANSISTOR
(FR) PROGRAMMATION DE CELLULE DE MÉMOIRE FACTICE POUR RÉDUIRE LA PERTE DE CHARGE DANS UN TRANSISTOR DE GRILLE DE SÉLECTION
Abrégé :
(EN) A memory device and associated techniques for reducing charge loss in a select gate transistor. A dummy memory cell is weakly programmed using a hot electron injection type of disturb to reduce the movement of holes toward the adjacent select gate transistor in a common charge trapping layer. The weak programming can occur in a program loop, e.g., in a transition between a pre-charge phase and a program phase, or in an erase loop, just after the erase of dummy and data memory cells. The weak programming does not involve a time penalty since it is concurrent with other operations. The disturb can be provided by increasing the control gate voltage of the dummy memory cell and/or decreasing the control gate voltage of the select gate transistor.
(FR) L'invention concerne un dispositif de mémoire et des techniques associées permettant de réduire la perte de charge dans un transistor de grille de sélection. Une cellule de mémoire factice est faiblement programmée à l'aide d'un type d'injection d'électrons chauds de perturbation afin de réduire le mouvement de trous vers le transistor de grille de sélection adjacent dans une couche de piégeage de charge commune. La programmation faible peut se produire dans une boucle de programme, par exemple, dans une transition entre une phase de précharge et une phase de programme, ou dans une boucle d'effacement, juste après l'effacement de cellules de mémoire de données et factices. La programmation faible n'implique pas une pénalité de temps étant donné qu'elle est concomitante à d'autres opérations. La perturbation peut être fournie en augmentant la tension de grille de commande de la cellule de mémoire factice et/ou en diminuant la tension de grille de commande du transistor de grille de sélection.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)