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1. (WO2019045786) SYSTÈMES ET PROCÉDÉS POUR DES ÉCONOMIES D'ÉNERGIE DE CHEMIN DE DONNÉES DANS DES DISPOSITIFS DE MÉMOIRE DDR5
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N° de publication : WO/2019/045786 N° de la demande internationale : PCT/US2018/027822
Date de publication : 07.03.2019 Date de dépôt international : 16.04.2018
CIB :
G11C 7/10 (2006.01) ,G11C 8/12 (2006.01) ,G06F 1/32 (2006.01)
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
7
Dispositions pour écrire une information ou pour lire une information dans une mémoire numérique
10
Dispositions d'interface d'entrée/sortie (E/S, I/O) de données, p.ex. circuits de commande E/S de données, mémoires tampon de données E/S
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
8
Dispositions pour sélectionner une adresse dans une mémoire numérique
12
Circuits de sélection de groupe, p.ex. pour la sélection d'un bloc de mémoire, la sélection d'une puce, la sélection d'un réseau de cellules
G PHYSIQUE
06
CALCUL; COMPTAGE
F
TRAITEMENT ÉLECTRIQUE DE DONNÉES NUMÉRIQUES
1
Détails non couverts par les groupes G06F3/-G06F13/89
26
Alimentation en énergie électrique, p.ex. régulation à cet effet
32
Moyens destinés à économiser de l'énergie
Déposants :
MICRON TECHNOLOGY, INC [US/US]; 8000 South Federal Way Boise, Idaho 83707, US
Inventeurs :
KANDIKONDA, Ravi Kiran; US
Mandataire :
MANWARE, Robert A.; US
FLETCHER, Michael G.; US
YODER, Patrick S.; US
POWELL, W. Allen; US
RARIDEN, John M.; US
SWANSON, Tait R.; US
BAKKER, Jila; US
SINCLAIR, JR., Steven J.; US
OSTERHAUS, Matthew G.; US
DOOLEY, Matthew C.; US
HENWOOD, Matthew C.; US
KANTOR, Andrew L.; US
WIMMER, Lance G.; US
BELLAH, Sean J.; US
THOMAS, Jim; US
CORLEY, David; US
Données relatives à la priorité :
15/693,17331.08.2017US
Titre (EN) SYSTEMS AND METHODS FOR DATA PATH POWER SAVINGS IN DDR5 MEMORY DEVICES
(FR) SYSTÈMES ET PROCÉDÉS POUR DES ÉCONOMIES D'ÉNERGIE DE CHEMIN DE DONNÉES DANS DES DISPOSITIFS DE MÉMOIRE DDR5
Abrégé :
(EN) A memory device includes a data path having a data bus. The memory derive further includes a first one-hot communications interface communicatively coupled to the data bus, and a second one-hot communications interface communicatively coupled to the data bus. The memory device additionally includes at least one memory bank, and an input/output (I/O) interface communicatively coupled to the at least one memory bank via the first one-hot communications interface and the second one-hot communications interface, wherein the first one-hot communications interface is configured to convert a first data pattern received by the I/O interface into one-hot signals transmitted via the data bus to the second one-hot communications interface, and wherein the second one-hot communications interface is configured to convert the one-hot signals into the first data pattern to be stored in the at least one memory bank.
(FR) L'invention concerne un dispositif de mémoire qui comprend un chemin de données comportant un bus de données. Le dispositif de mémoire comprend en outre une première interface de communication 1 parmi n couplée en communication au bus de données, et une seconde interface de communication 1 parmi n couplée en communication au bus de données. Le dispositif de mémoire comprend en outre au moins un bloc mémoire, et une interface d'entrée/sortie (E/S) couplée en communication avec le ou les blocs mémoire par l'intermédiaire de la première interface de communication 1 parmi n et de la seconde interface de communication 1 parmi n, la première interface de communication 1 parmi n étant configurée pour convertir un premier motif de données reçu par l'interface E/S en signaux 1 parmi n transmis par l'intermédiaire du bus de données à la seconde interface de communication 1 parmi n, et la seconde interface de communication 1 parmi n étant configurée pour convertir les signaux 1 parmi n dans le premier motif de données à stocker dans le ou les blocs mémoire.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)