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1. (WO2019045762) FORMATION DE DISPOSITIF DE TRAITEMENT D'INFORMATIONS QUANTIQUES
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N° de publication : WO/2019/045762 N° de la demande internationale : PCT/US2017/065017
Date de publication : 07.03.2019 Date de dépôt international : 07.12.2017
CIB :
H01L 39/24 (2006.01) ,G06N 99/00 (2010.01) ,H01P 11/00 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
39
Dispositifs utilisant la supraconductivité ou l'hyperconductivité; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
24
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement des dispositifs couverts par H01L39/134
G PHYSIQUE
06
CALCUL; COMPTAGE
N
SYSTÈMES DE CALCULATEURS BASÉS SUR DES MODÈLES DE CALCUL SPÉCIFIQUES
99
Matière non prévue dans les autres groupes de la présente sous-classe
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
P
GUIDES D'ONDES; RÉSONATEURS, LIGNES OU AUTRES DISPOSITIFS DU TYPE GUIDE D'ONDES
11
Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication de guides d'ondes, résonateurs, lignes ou autres dispositifs du type guide d'ondes
Déposants :
GOOGLE LLC [US/US]; 1600 Amphitheatre Parkway Mountain View, California 94043, US
Inventeurs :
MEGRANT, Anthony Edward; US
Mandataire :
VALENTINO, Joseph; US
FRANZ, Paul E.; US
Données relatives à la priorité :
62/552,92731.08.2017US
Titre (EN) QUANTUM INFORMATION PROCESSING DEVICE FORMATION
(FR) FORMATION DE DISPOSITIF DE TRAITEMENT D'INFORMATIONS QUANTIQUES
Abrégé :
(EN) A method for forming at least part of a quantum information processing device is presented. The method includes providing a first electrically-conductive layer formed of a first electrically-conductive material (100') on a principal surface of a substrate (10), depositing a layer of dielectric material on the first electrically-conductive material, patterning the layer of dielectric material to form a pad of dielectric material and to reveal a first region of the first electrically-conductive layer, depositing a second electrically-conductive layer (104') on the pad of dielectric material and on the first region of the first electrically-conductive layer, patterning the second electrically-conductive layer and removing the pad of dielectric material using isotropic gas phase etching.
(FR) L'invention concerne un procédé de formation d'au moins une partie d'un dispositif de traitement d'informations quantiques. Le procédé consiste à : fournir une première couche électroconductrice formée d'un premier matériau électroconducteur (100') sur une surface principale d'un substrat (10), déposer une couche de matériau diélectrique sur le premier matériau électroconducteur, structurer la couche de matériau diélectrique pour former un tampon de matériau diélectrique et pour mettre en évidence une première région de la première couche électroconductrice, déposer une seconde couche électroconductrice (104') sur le tampon de matériau diélectrique et sur la première région de la première couche électroconductrice, structurer la seconde couche électroconductrice et retirer le tampon de matériau diélectrique à l'aide d'une gravure en phase gazeuse isotrope.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)