Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2019045519) CIBLE POUR DÉPÔT PHYSIQUE EN PHASE VAPEUR, FILM DE REVÊTEMENT NANOCOMPOSITE L'UTILISANT, ET PROCÉDÉ DE PRÉPARATION ASSOCIÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2019/045519 N° de la demande internationale : PCT/KR2018/010147
Date de publication : 07.03.2019 Date de dépôt international : 31.08.2018
CIB :
C23C 14/34 (2006.01) ,C23C 14/06 (2006.01) ,C22C 16/00 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14
Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
22
caractérisé par le procédé de revêtement
34
Pulvérisation cathodique
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14
Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
06
caractérisé par le matériau de revêtement
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
22
MÉTALLURGIE; ALLIAGES FERREUX OU NON FERREUX; TRAITEMENT DES ALLIAGES OU DES MÉTAUX NON FERREUX
C
ALLIAGES
16
Alliages à base de zirconium
Déposants :
한국생산기술연구원 KOREA INSTITUTE OF INDUSTRIAL TECHNOLOGY [KR/KR]; 충청남도 천안시 서북구 입장면 양대기로길 89 89, Yangdaegiro-gil, Ipjang-myeon, Seobuk-gu Cheonan-si Chungcheongnam-do 31056, KR
Inventeurs :
이한찬 LEE, Han Chan; KR
문경일 MOON, Kyoung Il; KR
방경배 BANG, Gyung Bae; KR
신승용 SHIN, Seung Yong; KR
박현준 PARK, Hyun Jun; KR
김태환 KIM, Tae Hwan; KR
윤혜원 YOON, Hae Won; KR
오세필 OH, Se Pil; KR
정훈 JUNG, Hun; KR
Mandataire :
이인행 LEE, In Haeng; KR
김남식 KIM, Nam Sik; KR
Données relatives à la priorité :
10-2017-011096231.08.2017KR
10-2018-010328831.08.2018KR
Titre (EN) TARGET FOR PHYSICAL VAPOR DEPOSITION, NANOCOMPOSITE COATING FILM USING SAME, AND PREPARATION METHOD THEREFOR
(FR) CIBLE POUR DÉPÔT PHYSIQUE EN PHASE VAPEUR, FILM DE REVÊTEMENT NANOCOMPOSITE L'UTILISANT, ET PROCÉDÉ DE PRÉPARATION ASSOCIÉ
(KO) 물리증착용 타겟 및 이를 이용한 나노 복합 코팅막 및 그 제조방법
Abrégé :
(EN) The present invention provides a target for physical vapor deposition, the target being formed of a Zr-Cu-Si based alloy in order to form a low-friction coating film, wherein the target comprises 82-90 at% of Zr, 4-14 at% of Cu, and 4-8 at% of Si.
(FR) La présente invention concerne une cible pour dépôt physique en phase vapeur, la cible étant constituée d'un alliage à base de Zr-Cu-Si afin de former un film de revêtement à faible frottement, la cible comprenant de 82 à 90 % at de Zr, de 4 à 14 % at de Cu, et de 4 à 8 % at de Si.
(KO) 본 발명은 저마찰 코팅막을 형성하기 위하여 Zr-Cu-Si계 합금으로 이루어진 물리증착 타겟으로서, Zr이 82원자% 내지 90원자%; Cu가 4원자% 내지 14원자%; 및 Si이 4원자% 내지 8원자%;로 이루어진, 물리증착 타겟을 제공한다.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)