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1. (WO2019045505) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET PHARE COMPRENANT CELUI-CI
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N° de publication : WO/2019/045505 N° de la demande internationale : PCT/KR2018/010112
Date de publication : 07.03.2019 Date de dépôt international : 31.08.2018
CIB :
H01L 25/075 (2006.01) ,H01L 33/62 (2010.01) ,H01L 33/50 (2010.01) ,H01L 33/36 (2010.01) ,H01L 33/58 (2010.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
03
les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes H01L27/-H01L51/132
04
les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
075
les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe H01L33/81
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48
caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
62
Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48
caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
50
Éléments de conversion de la longueur d'onde
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
36
caractérisés par les électrodes
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48
caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
58
Éléments de mise en forme du champ optique
Déposants :
엘지이노텍 주식회사 LG INNOTEK CO., LTD. [KR/KR]; 서울시 중구 후암로 98 98, Huam-ro Jung-gu Seoul 04637, KR
Inventeurs :
이상열 LEE, Sang Youl; KR
강기만 KANG, Ki Man; KR
김도엽 KIM, Do Yub; KR
이은득 LEE, Eun Dk; KR
Mandataire :
특허법인 다나 DANA PATENT LAW FIRM; 서울시 강남구 역삼로3길 11 광성빌딩 신관4~6층 4~6th Floor, New Wing, Gwangsung Bldg. 11, Yeoksam-ro 3-gil Gangnam-gu Seoul 06242, KR
Données relatives à la priorité :
10-2017-011122931.08.2017KR
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND HEAD LAMP COMPRISING SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET PHARE COMPRENANT CELUI-CI
(KO) 반도체 소자 및 이를 포함하는 헤드 램프
Abrégé :
(EN) Disclosed in an embodiment are a semiconductor device and a head lamp comprising the same, the semiconductor device comprising: a substrate; a plurality of semiconductor structures arranged at a center part of the substrate; first and second pads arranged at an edge part of the substrate; a first wiring line electrically connecting at least one of the plurality of semiconductor structures to the first pad; a second wiring line electrically connecting at least one of the plurality of semiconductor structures to the second pad; and a wavelength conversion layer arranged on the plurality of semiconductor structures, wherein the plurality of semiconductor structures is arranged to be spaced apart from each other in a first direction and a second direction, the first direction and the second direction cross each other, the interval distance between the plurality of semiconductor structures is 5 μm to 40 μm and the thickness of the wavelength conversion layer is 1 μm to 50 μm.
(FR) Dans un mode de réalisation, la présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur et un phare comprenant celui-ci, le dispositif à semi-conducteur comprenant : un substrat ; une pluralité de structures à semi-conducteur agencées au niveau d’une partie centrale du substrat ; des premier et deuxième plots de connexion agencés au niveau d’une partie de bord du substrat ; une première ligne de câblage connectant électriquement au moins l’une de la pluralité de structures à semi-conducteur au premier plot de connexion ; une deuxième ligne de câblage connectant électriquement au moins l’une de la pluralité de structures à semi-conducteur au deuxième plot de connexion ; et une couche de conversion de longueur d’onde agencée sur la pluralité de structures à semi-conducteur, la pluralité de structures à semi-conducteur étant agencées de façon à être espacées les unes des autres dans une première direction et une deuxième direction, la première direction et la deuxième direction se croisant, la distance d’intervalle entre la pluralité de structures à semi-conducteur étant de 5 µm à 40 µm et l’épaisseur de la couche de conversion de longueur d’onde étant de 1 µm à 50 µm.
(KO) 실시 예는, 기판; 상기 기판의 중심부에 배치되는 복수의 반도체 구조물; 상기 기판의 테두리부에 배치되는 제1 패드 및 제2 패드; 상기 복수의 반도체 구조물 중 적어도 하나 및 상기 제1 패드를 전기적으로 연결하는 제 1 배선라인; 상기 복수의 반도체 구조물 중 적어도 하나 및 상기 제2패드를 전기적으로 연결하는 제 2 배선라인; 및 상기 복수의 반도체 구조물 상에 배치되는 파장변환층을 포함하고, 상기 복수의 반도체 구조물은 제1 방향 및 제2 방향으로 이격 배치되고, 상기 제1 방향과 제2 방향은 서로 교차하고, 상기 복수 개의 반도체 구조물 사이의 이격 거리는 5㎛ 내지 40㎛이고, 상기 파장변환층의 두께는 1㎛ 이상 50㎛이하인 반도체 소자 및 이를 포함하는 헤드 램프를 개시한다.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)