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1. (WO2019045435) APPAREIL À DIODES ÉLECTROLUMINESCENTES ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
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N° de publication : WO/2019/045435 N° de la demande internationale : PCT/KR2018/009954
Date de publication : 07.03.2019 Date de dépôt international : 29.08.2018
CIB :
H01L 33/00 (2010.01) ,H01L 33/36 (2010.01) ,H01L 33/10 (2010.01) ,H01L 33/62 (2010.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
36
caractérisés par les électrodes
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02
caractérisés par les corps semi-conducteurs
10
ayant une structure réfléchissante, p.ex. réflecteur de Bragg en semi-conducteur
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48
caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
62
Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
Déposants :
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. [KR/KR]; 129, Samsung-ro, Yeongtong-gu Suwon-si Gyeonggi-do 16677, KR
Inventeurs :
KIM, Jae-seok; KR
KANG, Jin-hee; KR
KANG, Ji-hoon; KR
Mandataire :
KIM, Tae-hun; KR
JEONG, Hong-sik; KR
Données relatives à la priorité :
10-2017-011208601.09.2017KR
Titre (EN) LIGHT EMITTING DIODE APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
(FR) APPAREIL À DIODES ÉLECTROLUMINESCENTES ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abrégé :
(EN) A method of manufacturing a light emitting diode is provided. The method includes forming a semiconductor layer on a substrate, forming a mask layer including a plurality of grooves on the semiconductor layer, forming a plurality of nanostructures in the plurality of grooves, respectively, forming an etched region by etching an outer region of the semiconductor layer and an inner region of the semiconductor layer different from the outer region, forming a first electrode on the etched region of the semiconductor layer, forming an insulation layer on the first electrode, and forming a second electrode on the insulation layer and the plurality of nanostructures.
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication de diode électroluminescente. Le procédé consiste à : former une couche semi-conductrice sur un substrat, former une couche de masque comprenant une pluralité de rainures sur la couche semi-conductrice, former une pluralité de nanostructures dans la pluralité de rainures, respectivement, former une région gravée par gravure d'une région externe de la couche semi-conductrice et d'une région interne de la couche semi-conductrice différente de la région externe, former une première électrode sur la région gravée de la couche semi-conductrice, former une couche d'isolation sur la première électrode, et former une seconde électrode sur la couche d'isolation et la pluralité de nanostructures.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)