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1. (WO2019045313) STRUCTURE DE CAPTEUR OPTIQUE COULEUR À HALOGÉNURE DE CUIVRE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
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N° de publication : WO/2019/045313 N° de la demande internationale : PCT/KR2018/009193
Date de publication : 07.03.2019 Date de dépôt international : 10.08.2018
CIB :
H01L 31/101 (2006.01) ,H01L 31/0224 (2006.01) ,H01L 31/14 (2006.01) ,G01J 3/46 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
08
dans lesquels le rayonnement commande le flux de courant à travers le dispositif, p.ex. photo-résistances
10
caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. photo-transistors
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Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
02
Détails
0224
Electrodes
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
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structurellement associés, p.ex. formés dans ou sur un substrat commun, avec une ou plusieurs sources de lumière électriques, p.ex. avec des sources de lumière électroluminescentes, et en outre électriquement ou optiquement couplés avec les dites sources
14
la ou les sources de lumière étant commandées par le dispositif à semi-conducteur sensible au rayonnement, p.ex. convertisseurs d'images, amplificateurs d'images, dispositifs de stockage d'image
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
J
MESURE DE L'INTENSITÉ, DE LA VITESSE, DU SPECTRE, DE LA POLARISATION, DE LA PHASE OU DES CARACTÉRISTIQUES D'IMPULSIONS DE LUMIÈRE INFRAROUGE, VISIBLE OU ULTRAVIOLETTE; COLORIMÉTRIE; PYROMÉTRIE DES RADIATIONS
3
Spectrométrie; Spectrophotométrie; Monochromateurs; Mesure de la couleur
46
Mesure de couleur; Dispositifs de mesure de couleur, p.ex. colorimètres
Déposants :
주식회사 페타룩스 PETALUX INC. [KR/KR]; 경기도 성남시 중원구 양현로 405번길 12, 3층 F3, 12, Yanghyeon-ro 405beon-gil, Jungwon-gu Seongnam-si Gyeonggi-do 13438, KR
Inventeurs :
안도열 AHN, Do Yeol; KR
Mandataire :
특허법인청맥 C.M. PATENT & LAW FIRM, LLP.; 서울시 강남구 테헤란로25길 39, 2층 2F, 39, Teheran-ro 25-gil Gangnam-gu Seoul 06131, KR
Données relatives à la priorité :
10-2017-010935129.08.2017KR
Titre (EN) COPPER HALIDE COLOR OPTICAL SENSOR STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) STRUCTURE DE CAPTEUR OPTIQUE COULEUR À HALOGÉNURE DE CUIVRE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(KO) 할로겐화구리 컬러 광센서 구조 및 제조방법
Abrégé :
(EN) The present invention relates to an optical sensor structure having improved optical characteristics by comprising a copper halide region, and a manufacturing method therefor, the present invention comprising: a silicon semiconductor substrate; and junctions that are between at least three regions having opposite polarity to each other and are formed on the silicon semiconductor substrate, wherein the junctions are substantially arranged in vertical alignment with each other, and at least one of the junctions includes a junction between a first-polar-type copper halide region and a second-polar-type silicon region. Accordingly, quantum efficiency is improved due to the optical characteristics of copper halide, thereby allowing the size of the optical sensor being manufactured to be decreased.
(FR) La présente invention concerne une structure de capteur optique ayant des caractéristiques optiques améliorées en comprenant une région d'halogénure de cuivre, et son procédé de fabrication. La présente invention comprend : un substrat semiconducteur en silicium ; et des jonctions qui se trouvent entre au moins trois régions ayant des polarités opposées l'une par rapport à l'autre et qui sont formées sur le substrat semiconducteur en silicium. Les jonctions sont agencées sensiblement en un alignement vertical les unes avec les autres et au moins l'une des jonctions comprend une jonction entre une région d'halogénure de cuivre de premier type polaire et une région de silicium de deuxième type polaire. Par conséquent, l'efficacité quantique est améliorée en raison des caractéristiques optiques de l'halogénure de cuivre, ce qui permet de réduire la taille du capteur optique fabriqué.
(KO) 본 발명은 할로겐화구리 영역을 포함하여 광학특성이 개선된 광센서의 구조 및 그의 제조방법으로, 실리콘 반도체 기판 및 상기 실리콘 반도체 기판 상에 형성되는, 적어도 3개의 서로 반대의 극성을 갖는 영역의 접합들을 포함하여, 접합들은 실질적으로 서로간에 수직으로 정렬되어 배치되고, 상기 접합들 중 적어도 하나는 제1 극형의 할로겐화구리 영역과 제2 극형의 실리콘 영역의 접합을 포함한다. 이에 따라, 할로겐화구리의 광학적특성으로 양자 효율이 향상되어, 제조되는 광센서의 크기를 축소시키는 효과를 가질 수 있다.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)