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1. (WO2019045276) CATHODE DE PULVÉRISATION ET DISPOSITIF DE PULVÉRISATION PERMETTANT DE FORMER UN PLASMA HAUTE DENSITÉ
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N° de publication : WO/2019/045276 N° de la demande internationale : PCT/KR2018/008292
Date de publication : 07.03.2019 Date de dépôt international : 23.07.2018
CIB :
H01J 37/34 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
J
TUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
37
Tubes à décharge pourvus de moyens permettant l'introduction d'objets ou d'un matériau à exposer à la décharge, p.ex. pour y subir un examen ou un traitement
32
Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
34
fonctionnant par pulvérisation cathodique
Déposants :
(주) 씨앤아이테크놀로지 CNI TECHNOLOGY, INC. [KR/KR]; 경기도 화성시 삼성1로1길 32 32, Samsung 1-ro 1-gil, Hwaseong-si, Gyeonggi-do 18449, KR
Inventeurs :
허진 HEO, Jin; KR
한규민 HAN, Kyu Min; KR
이진선 LEE, Jin Seon; KR
이민진 LEE, Min Jin; KR
이호철 LEE, Ho Cheol; KR
Mandataire :
안준형 AHN, Joon-Hyung; KR
남승희 NAM, Seung-Hee; KR
이강민 LEE, Kangmin; KR
Données relatives à la priorité :
10-2017-010909629.08.2017KR
Titre (EN) SPUTTERING CATHODE AND SPUTTERING DEVICE FOR FORMING HIGH-DENSITY PLASMA
(FR) CATHODE DE PULVÉRISATION ET DISPOSITIF DE PULVÉRISATION PERMETTANT DE FORMER UN PLASMA HAUTE DENSITÉ
(KO) 고밀도 플라즈마 형성을 위한 스퍼터링 캐소드 및 스퍼터링 장치
Abrégé :
(EN) The present invention provides a sputtering cathode and a sputtering device for forming high-density plasma for increasing the strength of a magnetic field formed on one surface of a sputtering target. One embodiment of the present invention provides the sputtering cathode and the sputtering device, the sputtering cathode having a plurality of magnets comprising: a first magnet of which a magnetic pole having a first polarity faces a sputtering target; and a plurality of second magnets of which magnetic poles having the same polarity as the first polarity face a support member, and which are continuously arranged at both sides of the first magnet.
(FR) La présente invention concerne une cathode de pulvérisation et un dispositif de pulvérisation permettant de former un plasma haute densité afin d'augmenter la résistance d'un champ magnétique formé sur une surface d'une cible de pulvérisation. Un mode de réalisation de la présente invention porte sur la cathode de pulvérisation et sur le dispositif de pulvérisation, la cathode de pulvérisation étant pourvue d'une pluralité d'aimants comprenant : un premier aimant dont un pôle magnétique ayant une première polarité est orienté vers une cible de pulvérisation; et une pluralité de seconds aimants dont les pôles magnétiques ayant la même polarité que la première polarité sont orientés vers un élément de support, et qui sont disposés en continu de part et d'autre du premier aimant.
(KO) 본 발명은 스퍼터링 타겟의 일면에 형성되는 자기장의 세기를 증가시키는 고밀도 플라즈마 형성을 위한 스퍼터링 캐소드 및 스퍼터링 장치를 제시한다. 본 발명의 일실시예에서는 제1 극성을 갖는 자극이 스퍼터링 타겟을 향하는 제1 자석; 및 상기 제1 극성과 동일한 극성을 갖는 자극이 지지부재를 향하며, 상기 제1 자석의 양측으로 복수개가 연이어 배치되는 제2 자석을 포함하는 복수의 자석으로 구비하는 스퍼터링 캐소드 및 스퍼터링 장치가 제시된다.
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)