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1. (WO2019045088) MODULE HAUTE FRÉQUENCE ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
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N° de publication : WO/2019/045088 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/032529
Date de publication : 07.03.2019 Date de dépôt international : 03.09.2018
CIB :
H01L 23/00 (2006.01) ,H01L 21/56 (2006.01) ,H01L 23/02 (2006.01) ,H01L 25/04 (2014.01) ,H01L 25/065 (2006.01) ,H01L 25/07 (2006.01) ,H01L 25/18 (2006.01) ,H05K 1/02 (2006.01) ,H05K 3/00 (2006.01) ,H05K 3/28 (2006.01) ,H05K 9/00 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
50
Assemblage de dispositifs à semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par l'un uniquement des groupes H01L21/06-H01L21/326185
56
Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
02
Conteneurs; Scellements
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
03
les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes H01L27/-H01L51/132
04
les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
03
les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes H01L27/-H01L51/132
04
les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
065
les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe H01L27/81
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
03
les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes H01L27/-H01L51/132
04
les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
07
les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe H01L29/81
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
18
les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes H01L27/-H01L51/166
H ÉLECTRICITÉ
05
TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
K
CIRCUITS IMPRIMÉS; ENVELOPPES OU DÉTAILS DE RÉALISATION D'APPAREILS ÉLECTRIQUES; FABRICATION D'ENSEMBLES DE COMPOSANTS ÉLECTRIQUES
1
Circuits imprimés
02
Détails
H ÉLECTRICITÉ
05
TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
K
CIRCUITS IMPRIMÉS; ENVELOPPES OU DÉTAILS DE RÉALISATION D'APPAREILS ÉLECTRIQUES; FABRICATION D'ENSEMBLES DE COMPOSANTS ÉLECTRIQUES
3
Appareils ou procédés pour la fabrication de circuits imprimés
H ÉLECTRICITÉ
05
TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
K
CIRCUITS IMPRIMÉS; ENVELOPPES OU DÉTAILS DE RÉALISATION D'APPAREILS ÉLECTRIQUES; FABRICATION D'ENSEMBLES DE COMPOSANTS ÉLECTRIQUES
3
Appareils ou procédés pour la fabrication de circuits imprimés
22
Traitement secondaire des circuits imprimés
28
Application de revêtements de protection non métalliques
H ÉLECTRICITÉ
05
TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
K
CIRCUITS IMPRIMÉS; ENVELOPPES OU DÉTAILS DE RÉALISATION D'APPAREILS ÉLECTRIQUES; FABRICATION D'ENSEMBLES DE COMPOSANTS ÉLECTRIQUES
9
Blindage d'appareils ou de composants contre les champs électriques ou magnétiques
Déposants :
株式会社村田製作所 MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 京都府長岡京市東神足1丁目10番1号 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555, JP
Inventeurs :
大坪 喜人 OTSUBO, Yoshihito; JP
山口 理 YAMAGUCHI, Osamu; JP
Mandataire :
梁瀬 右司 YANASE, Yuji; JP
木村 公一 KIMURA, Koichi; JP
丸山 陽介 MARUYAMA, Yosuke; JP
Données relatives à la priorité :
2017-16927404.09.2017JP
Titre (EN) HIGH FREQUENCY MODULE AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) MODULE HAUTE FRÉQUENCE ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(JA) 高周波モジュールおよびその製造方法
Abrégé :
(EN) Provided is a high frequency module which has stable shielding performance, and wherein a shield layer and a ground electrode of an external substrate are connected to each other by a conductor pin, thereby decreasing the shield resistance. A high frequency module 1 according to the present invention is provided with: a substrate 2; a first component 4 that is mounted on an upper surface 2a of the substrate 2; a second component 5 that is mounted on a lower surface 2b of the substrate 2; an upper sealing resin layer 6 and a lower sealing resin layer 7; a conductor pin 8; and a shield layer 9. The conductor pin 8 has: a terminal part 8a which is exposed from a lower surface 7a of the lower sealing resin layer 7 and is connected to a ground electrode of an external substrate; and a shield connection part 8b which is exposed from a lateral surface 7b of the lower sealing resin layer 7 and is connected to the shield layer 9. Since the terminal part 8a of the conductor pin 8 is connected to the ground electrode, the shield layer 9 is connected to the ground potential with the shortest distance and thus the shield resistance is able to be decreased.
(FR) L'invention concerne un module haute fréquence dont la performance de blindage est stable, et dans lequel une couche de blindage et une électrode de masse d'un substrat externe sont connectées l'une à l'autre au moyen d'une broche conductrice, réduisant ainsi la résistance de blindage. Le module haute fréquence (1) comprend : un substrat (2) ; un premier composant (4) qui est monté sur une surface supérieure (2a) du substrat (2) ; un second composant (5) qui est monté sur une surface inférieure (2b) du substrat (2) ; une couche de résine d'étanchéité supérieure (6) et une couche de résine d'étanchéité inférieure (7) ; une broche conductrice (8) ; et une couche de blindage (9). La broche conductrice (8) présente : une partie borne (8a) qui est exposée depuis une surface inférieure (7a) de la couche de résine d'étanchéité inférieure (7) et connectée à une électrode de masse d'un substrat externe ; et une partie connexion de blindage (8b) qui est exposée depuis une surface latérale (7b) de la couche de résine d'étanchéité inférieure (7) et connectée à la couche de blindage (9). Étant donné que la partie borne (8a) de la broche conductrice (8) est connectée à l'électrode de masse, la couche de blindage (9) est connectée au potentiel de masse par la distance la plus courte, d'où une diminution de la résistance de blindage.
(JA) シールド層と外部基板のグランド電極を導体ピンにより接続し、シールド抵抗を下げ、シールド性能の安定した高周波モジュールを提供する。 高周波モジュール1は、基板2と基板2の上面2aに実装された第1部品4と、基板2の下面2bに実装された第2部品5と、上側封止樹脂層6および下側封止樹脂層7と、導体ピン8と、シールド層9とを備える。導体ピン8は、下側封止樹脂層7の下面7aから露出し外部基板のグランド電極に接続される端子部8aと、下側封止樹脂層7の側面7bから露出しシールド層9に接続されるシールド接続部8bとを有する。導体ピン8の端子部8aがグランド電極に接続されることにより、シールド層9が最短距離でグランド電位に接続され、シールド抵抗を下げることができる。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)